Products HomeInAsSb増幅ディテクター、TEC付き
- Broadband Wavelength Sensitivity: 1.0 - 5.8 µm
- Built-In TEC Lowers Thermal Noise
- 8-Step Variable Gain and Bandwidth
PDA10PT
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Side Mounted,
Post Not Included
Side View
Power Supply
Included with
Detector
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| MIR Detector Selection Guidea | ||||
|---|---|---|---|---|
| Item # (Detector) | Detector Type | Wavelength Range | Maximum Bandwidth | Thermoelectric Cooler |
| PDA10DT (InGaAs) | Photodiode | 0.9 - 2.57 µm | 1 MHz | Yes |
| PDA10D2 (InGaAs) | Photodiode | 0.9 - 2.6 µm | 25 MHz | No |
| PDA10PT (InAsSb) | Photodiode | 1.0 - 5.8 µm | 1.6 MHz | Yes |
| PDA07P2 (InAsSb) | Photodiode | 2.7 - 5.3 µm | 9 MHz | No |
| PDAVJ8 (HgCdTe) | Photodiode | 2.0 - 8.0 µm | 100 MHz | No |
| PDAVJ10 (HgCdTe) | Photodiode | 2.0 - 10.6 µm | 100 MHz | No |
| PDAVJ5 (HgCdTe) | Photodiode | 2.7 - 5.0 µm | 1 MHz | No |
| PDA13L2 (LiTaO3) | Pyroelectric | 0.6 - 16 µm | 10 kHz | No |
特長
- 1.0～5.8 µmの中赤外光を検知
- 最大帯域幅:1600 kHz
- 内蔵型の熱電冷却器により感度が向上
- 検出素子: Ø1 mm
- 2方向にポスト取付け可能
- SM1内ネジ付き
- 電源は付属しません*
PDA10PT-ECは、熱電冷却器付きInAsSb(インジウム砒素アンチモン)光伝導型(フォトコンダクティブ型)ディテクタです。 当社のHgCdTe (MCT)ディテクタと 同じように中赤外スペクトル範囲の光を検知しますが、ディテクタPDA10PT-ECの検知範囲は1.0～5.8 µmとさらに広くなっております。 2つのロータリースイッチで利得ならびにディテクターパッケージの帯域幅を調節できるので、様々な用途に応じて適切な性能を発揮します。 利得スイッチは0～40 dBの8段階、帯域幅スイッチは、12.5～1600 kHzの8段階があります。 サーミスタフィードバックループによって熱電冷却器(TEC)が検出素子の温度を-30 °Cに保つので、出力信号への熱の影響を最小限に留めます。
最良の結果を得るためにはBNCケーブル(付属しません)を50 Ωの終端に接続することをお勧めします。 ディテクタはAC結合なので、パルスまたはチョッピング信号を入力する必要があります。 AC結合型ディテクタは、光の絶対強度ではなく強度変化を検知するため、チョッピングされていない連続光は検出できません。このフォトディテクタは当社のパッシブ型ローパスフィルタとお使いいただけます。このフィルタは50 Ω入力が可能です。また、高出力インピーダンスなので、オシロスコープなどの高インピーダンスの測定デバイスに直接接続可能です。
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側面にある利得ならびに帯域幅調節アジャスタ
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上面にある信号出力部と電源入力部
このディテクターパッケージには当社のほかのマウント付きフォトディテクタと同じ機械的特長が多数組み入れられています。 SM1内ネジによって検出素子の前部にØ25 mm～Ø25.4 mm(Ø1インチ)レンズチューブを取付けることが可能です。 M4タップ穴が2つあり、Ø12 mm～Ø12.7 mm(Ø1/2インチ)ポストをページ上部の写真のように取付けることができます。固定リングSM1RRが1個付属します。
なお、ディテクタ検出部のエッジ部分の不均一性により、不要な静電容量や抵抗を発生し、時間応答性を歪ませる場合がありますのでご注意ください。 このような現象を防ぐためにも、光が検出部の中心にしっかりと入射するように設定することをお勧めします。 筐体のSM1ネジでSM1シリーズのレンズチューブを取付けることができ、レンズチューブを使用することによって検出素子の前部にアイリスまたは精密ピンホールを取付けることができます。 ディテクターパッケージがSM1ネジよりも3.9 mm前に突き出るため、筐体に直接光学素子やオプトメカニクスを取り付けることはできません。
当社ではこちらに掲載しているInAsSbディテクタ以外に、室温で使用可能な増幅フォトディテクタもご用意しております。
*【電源について】 本製品(PDA10xTシリーズ)は、日本国内では付属電源を販売することが出来ないため、電源なしでのご提供となりますのでご了承ください。電源は次の仕様をカバーしたものをご用意ください。■仕様：+12V、0.3A、-12V、0.3A、+5V、1A の3出力リニア電源 (トランスタイプ電源)。なお、本体と電源をつなぐケーブルは付属しております。詳しくは当社へお問い合わせください。
特記のない限り、すべての数値に50 Ω負荷を適用。
| Gain (High Z)c | |
|---|---|
| 0 dB | 100 V/A |
| 4 dB | 160 V/A |
| 10 dB | 320 V/A |
| 16 dB | 630 V/A |
| 22 dB | 1260 V/A |
| 28 dB | 2510 V/A |
| 34 dB | 5010 V/A |
| 40 dB | 10 000 V/A |
| Noise-Equivalent Power (NEP) Valuesd | |
|---|---|
| Gain | NEP |
| 0 dB | 1.91 × 10-9 W/Hz1/2 |
| 4 dB | 1.21 × 10-9 W/Hz1/2 |
| 10 dB | 6.24 × 10-10 W/Hz1/2 |
| 16 dB | 3.48 × 10-10 W/Hz1/2 |
| 22 dB | 2.27 × 10-10 W/Hz1/2 |
| 28 dB | 1.83 × 10-10 W/Hz1/2 |
| 34 dB | 1.63 × 10-10 W/Hz1/2 |
| 40 dB | 1.49 × 10-10 W/Hz1/2 |
| Item # | PDA10PT(-EC) |
|---|---|
| Optical Specifications | |
| Wavelength Range | 1.0 - 5.8 μm |
| Peak Wavelength (λP) | 4.9 μm |
| Peak Responsivity | 0.8 A/W (Min) at Peak Wavelength 1.6 A/W (Typ.) at Peak Wavelength |
| Electrical Specifications | |
| Gain Adjustment Range | 40 dB |
| Gain Settings | 0, 4, 10, 16, 22, 28, 34, 40 dB (8 Steps) |
| Bandwidth Settings | 12.5, 25, 50, 100, 200, 400, 800, or 1600 kHz (8 Steps) |
| Output Voltagea | 0 - 5 V at 50 Ω 0 - 10 V at High Z |
| Output Impedance | 50 Ω |
| Output Current | 100 mA (Max) |
| Load Impedance | 50 Ω to High Z |
| Output Offsetb | 20 mV (Typ.) 45 mV (Max) |
| Offset Drift | 2.7 mV/°C (at 40 dB Gain) |
| TEC Temperature | -30 °C |
| Physical Specifications | |
| Detector Element | InAsSb |
| Window Material | Sapphire |
| Active Area | Ø1 mm |
| Surface Depth | 0.12" (3.1 mm) |
| Output | BNC |
| Detector Size | 3" × 2.2" × 2.2" (76.2 mm × 55.9 mm × 55.9 mm) |
| Weight | Detector: 0.42 lbs (191 g) |
| Storage Temperature | 0 to 60 °C |
| Operating Temperature | 0 to 30 °C |
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利得と帯域幅が最小値の時のノイズレベルと最大値の時のノイズレベルを比較しています。
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上のグラフの利得設定は0 dB。
検知能D*は下記の数式で表します:
ここでAはディテクタの光検出面積、Δf は有効ノイズ帯域幅、そしてNEP はノイズ等価電力です。PDA10PTでは、以下となります。
詳細については、取扱説明書をご参照ください。
出力信号
BNCメス型
50 Ωで0～ 5 V
High Zで0～ 10 V
最大電流100 mA
パワー入力
4ピンメス型
| Pin | Connection |
|---|---|
| 1 | -12 V |
| 2 | Ground |
| 3 | +5 V |
| 4 | +12 V |
フォトダイオードのチュートリアル
動作原理
接合型フォトダイオードは、通常の信号ダイオードと似た動作をする部品ですが、接合半導体の空乏層が光を吸収すると、光電流を生成する性質があります。フォトダイオードは、高速なリニアデバイスで、高い量子効率を達成し、様々な用途で利用することが可能です。
入射光の強度に応じた、出力電流レベルと受光感度を正確に把握することが必要とされます。図1は、接合型フォトダイオードのモデル図で、基本的な部品要素が図示されており、フォトダイオードの動作原理が説明されています。
図1:フォトダイオードの概略図
フォトダイオード関連用語
受光感度
フォトダイオードの受光感度は、規定の波長における、生成光電流 (IPD)と入射光パワー(P)の比であると定義できます。
Photoconductiveモード(光導電モード)とPhotovoltaicモード(光起電力モード)
フォトダイオードは、Photoconductiveモード(逆バイアス) またはPhotovoltaicモード(ゼロバイアス)で動作できます。 モードの選択は、使用用途で求められる速度と、許容される暗電流(漏れ電流)の量で決まります。
Photoconductiveモード(光導電モード)
Photoconductiveモードでは、逆バイアスが印加されますが、これが当社のDETシリーズディテクタの基本です。回路で測定できる電流量はフォトダイオードに照射される光の量を反映します。つまり、測定される出力電流は、入射される光パワーに対しリニアに比例します。逆バイアスを印加すると、空乏層を広げて反応領域が広くなるため、接合容量が小さくなり、良好な線形応答が得られます。このような動作条件下では、暗電流が大きくなりがちですが、フォトダイオードの種類を選ぶことで、暗電流を低減することもできます。(注：当社のDETディテクタは逆バイアスで、順方向バイアスでは動作できません。)
Photovoltaicモード(光起電力モード)
Photovoltaicモードでは、フォトダイオードはゼロバイアスで使用されます。デバイスからの電流の流れが制限されると電位が上昇します。このモードでは光起電力効果が引き起こされますが、これが太陽電池の基本です。Photovoltaicモードでは、暗電流は小さくなります。
暗電流
暗電流とは、フォトダイオードにバイアス電圧が付加されている時に流れる漏れ電流です。Photoconductiveモードで使用する場合に暗電流の値は高くなりがちで、温度の影響も受けます。 暗電流は、温度が10°C上昇するごとに約2倍となり、シャント抵抗は6°C の上昇に伴い倍になります。高いバイアスを付加すれば、接合容量は小さくなりますが、暗電流の量は増大してしまいます。
暗電流の量はフォトダイオードの材料や検出部の寸法によっても左右されます。ゲルマニウム製のデバイスでは暗電流は高くなり、それと比較するとシリコン製のデバイスは一般的には低い暗電流となります。下表では、いくつかのフォトダイオードに使用される材料の暗電流の量と共に、速度、感度とコストを比較しています。
| Material | Dark Current | Speed | Spectral Range | Cost |
|---|---|---|---|---|
| Silicon (Si) | Low | High Speed | Visible to NIR | Low |
| Germanium (Ge) | High | Low Speed | NIR | Low |
| Gallium Phosphide (GaP) | Low | High Speed | UV to Visible | Moderate |
| Indium Gallium Arsenide (InGaAs) | Low | High Speed | NIR | Moderate |
| Indium Arsenide Antimonide (InAsSb) | High | Low Speed | NIR to MIR | High |
| Extended Range Indium Gallium Arsenide (InGaAs) | High | High Speed | NIR | High |
| Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe) | High | Low Speed | NIR to MIR | High |
接合容量
接合容量(Cj)は、フォトダイオードの帯域幅と応答特性に大きな影響を与えるので、フォトダイオードの重要な特性となります。ダイオードの面積が大きいと、接合容量が大きくなり、電荷容量は大きくなります。逆バイアスの用途では、接合部の空乏層が大きくなるので、接合容量が小さくなり、応答速度が速くなります。
帯域幅と応答性
負荷抵抗とフォトディテクタの接合容量により帯域幅が制限されます。最善の周波数応答を得るには、50 Ωの終端装置を50 Ωの同軸ケーブルと併用します。接合容量(Cj)と負荷抵抗値(RLOAD)により、帯域幅(fBW)と立ち上がり時間応答(tr)の概算値が得られます。
雑音等価電力
雑音等価電力(NEP：Noise Equivalent Power)とは、出力帯域幅1 Hzでの信号対雑音比(SNR)が1になる入力信号のパワーです。NEPによって、ディテクタが低レベルの光を検知する能力を知ることができるので、この数値は便利です。一般には、NEPはディテクタの検出部の面積増加に伴って大きくなり、下記の数式で求めることができます。
この数式において、S/Nは信号対雑音比、Δf はノイズの帯域幅で、入射エネルギ単位はW/cm2となっています。詳細は、当社のホワイトペーパー「NEP – Noise Equivalent Power」をご覧ください。
終端抵抗
オシロスコープでの測定を可能にするためには、生成された光電流を電圧(VOUT)に変換する必要がありますが、負荷抵抗を用いて電圧変換します。
フォトダイオードの種類によっては、負荷抵抗が応答速度に影響を与える場合があります。最大帯域幅を得るには、50 Ωの同軸ケーブルを使用して、ケーブルの反対側の終端部で50 Ωの終端抵抗器の使用を推奨しています。このようにすることで、ケーブルの特性インピーダンスとマッチングできて共鳴が最小化できます。帯域幅が重要ではない特性の場合は、RLOADを増大させることで、所定の光レベルに対して電圧を大きくすることができます。終端部が不整合の場合、同軸ケーブルの長さが応答特性に対して大きな影響を与えます。したがってケーブルはできるだけ短くしておくことが推奨されます。
シャント抵抗
シャント抵抗は、ゼロバイアスフォトダイオード接合の抵抗を表します。理想的なフォトダイオードでは、シャント抵抗は無限大となりますが、実際の数値はフォトダイオードの材料の種類によって、10Ωのレベルから 数千MΩの範囲となる場合があります。例えばInGaAsディテクタのシャント抵抗は、10 MΩのレベルですが、GeディテクタはkΩのレベルです。このことは、フォトダイオードのノイズ電流に大きく影響を与える可能性があります。しかしながらほとんどの用途では、ある程度高い抵抗値であればその影響は小さく、無視できる程度です。
直列抵抗
直列抵抗は半導体材料の抵抗値で、この低い抵抗値は、通常は無視できる程度です。直列抵抗は、フォトダイオードの接触接続部とワイヤ接続部で発生し、ゼロバイアスの条件下でのフォトダイオードのリニアリティの主な決定要因になります。
一般的な動作回路
図2: 逆バイアス回路(DETシリーズディテクタ)
上図の回路はDETシリーズのディテクタをモデル化したものです。ディテクタは、入射光に対して線形の応答を得るために逆バイアス状態になっています。ここで生成された光電流の量は、入射光と波長に依存し、負荷抵抗を出力端子に接続すると、オシロスコープでモニタリングできます。RCフィルタの機能は、出力に雑音を載せてしまう可能性のある供給電力からの高周波雑音のフィルタリングです。
図3: 増幅ディテクタ回路
高利得用途でアンプとともにフォトディテクタを使用できます。動作時には、PhotovoltaicモードまたはPhotoconductiveモードのいずれも選択可能です。このアクティブ回路はいくつかの利点があります。
- Photovoltaicモード：オペアンプで、点Aと点Bの電位が同じに維持されているので、フォトダイオードでは回路全体では0 Vに保たれています。このことで暗電流は発生しなくなります。
- Photoconductiveモード: フォトダイオードは逆バイアス状態であるので、接合容量を低下させ、帯域幅の状態を改善します。ディテクタの利得は、フィードバック素子(Rf)に依存します。ディテクタの帯域幅は、下記の数式で計算することができます。
GBPが利得帯域幅積で、CDは接合容量と増幅器の静電容量の和です。
チョッパ入力周波数の影響
光導電信号は時定数の応答限界までは一定となりますが、PbS、 PbSe、HgCdTe (MCT)、InAsSbなどのディテクタにおいては、1/fゆらぎ(チョッパ入力周波数が大きいほどゆらぎは小さくなる)を持つため、低い周波数の入力の場合は影響が大きくなります。
低いチョッパ入力周波数の場合は、ディテクタの受光感度は小さくなります。周波数応答や検出性能は下記の条件の場合において最大となります。
| Posted Comments: | |
Martin Silies
(posted 2024-04-04 12:05:30.943) Dear Thorlabs team,
I am highly interested in the InAsSb Amplified Detector with TEC.
We plan to characterize our femtosecond laser source that is emitting light in the NIR to mid-IR spectral region.
The spectral range is ranging from 1000nm to 2300nm.
In detail, we want to implement the APD in a home-built Fourier-transform spectrometer in order to characterize the spectrum of the FemtoFiber SCIR laser.
The laser is a pulsed source emitting pulses at a repetition rate of 40MHz (pulse duration in the ps regime due to nonlinear processes).
The signal from the APD should later be fed into a PC via Analog-to-Digital Converter and the voltage from the APD should be recorded as a function of position in a Fourier-Transform spectrometer.
I am curious about the signal I would see on an oscilloscope. The bandwith of the APD is relatively narrow, hence the response time of the APD is long, right?
Would I hence only see a constant voltage signal, when the repetition rate of my laser is 40MHz?
Many thanks for your answer in advance,
Martin Silies ksosnowski
(posted 2024-04-22 02:56:53.0) Hello Martin, thanks for reaching out to Thorlabs. Picosecond pulses themselves are beyond the 1600kHz max bandwidth of the APD, and the 40MHz repetition rate is as well. There will be some effective lowpass attenuation of the signal due to this. Essentially these pulses turn off faster than the system's rise time, so their peak value is never seen at the output. Because the repetition rate is faster than the time-limited response of the detector, these pulses will blur together to form an average, though attenuated, and will give an effectively constant output due to this. PDA10PT is not based on avalanche photodiode however we do also have some temperature controlled InGaAs APDs like our APD430C. I have reached out directly to discuss your application in further detail. |
下表は、当社のフォトダイオードタイプのディテクタ、フォトコンダクティブ型ディテクタ、焦電ディテクタの一覧です。同一の列に記載されている型番の検出素子は同じです。
| Item # | PDA10PT(-EC) |
|---|---|
| Click Image to Enlarge |  |
| Detector Element (Click for Image) | InAsSb |
| Wavelength Range | 1.0 - 5.8 µm |
| Peak Wavelength (λP) | 4.9 µm |
| Peak Responsivity | 0.8 A/W (Min) at λP 1.6 A/W (Typ.) at λP |
| Active Area | Ø1 mm |
| Window Material | Sapphire |
| Gain Settings | 8 Steps: 0, 4, 10, 16, 22, 28, 34, or 40 dB |
| Bandwidth Settings | 8 Steps from 12.5 kHz to 1600 kHz |
| Noise-Equivalent Power (NEP) | 1.49 x 10-10 W/Hz1/2 (for 40 dB Gain and 1600 kHz Bandwidth) |
- 1.0～5.8 µmの中赤外域のチョップ光またはパルス光を検知
- 熱ノイズを低減するためにディテクタを-30°Cに冷却
- 検出部はØ1 mm
- 可変利得(100 V/A～10 000 V/A)
- 可変帯域幅(12.5 kHz～1600 kHz)
- SM1内ネジ付き
- 電源は付属しません*
*【電源について】 本製品(PDA10xTシリーズ)は、日本国内では付属電源を販売することが出来ないため、電源なしでのご提供となりますのでご了承ください。電源は次の仕様をカバーしたものをご用意ください。
- +12V、0.3A、-12V、0.3A、+5V、1A の3出力リニア電源 (トランスタイプ電源)
なお、本体と電源をつなぐケーブルは付属しております。詳しくは当社へお問い合わせください。
 InAsSb増幅フォトディテクタ、TEC付き |