MEMS-VCSEL波長掃引レーザー光源

SL101081

1060 nm MEMS-VCSEL Swept Source
Fixed Mode, 400 kHz Sweep Rate,
Integrated Balanced Detector

Available with 1060 nm or 1300 nm Center Wavelength
Sweep Rates from 50 kHz to 1 MHz
Over 100 mm Coherence Length
Single Mode, Mode-Hop-Free Operation

SLZ1302

1300 nm MEMS-VCSEL Swept Source
Three Selectable Modes, 1 MHz Max Sweep Rate, Integrated Balanced Detector, Dual-Channel Configuration

Please Wait

概要
仕様
グラフ
製品詳細
前面＆背面パネル
ソフトウェア
発送品リスト
OCTイメージング
MEMS-VCSELチュートリアル
レーザの安全性
Feedback

Table 1.1 Quick Comparison^a
Item #	SL10xxx0, SL13xxx0	SL10xxx1, SL13xxx1	SLZ1001, SLZ1301	SLZ1002, SLZ1302
Wavelength Sweep Range (-10 dB)	100 nm (Typ.)		Up to 100 nm (Typ.)^b
Coherence Length	≥100 mm
Relative Intensity Noise (RIN)	≤2%
Feature Comparison
MZI Configurations/Modes	One		Three
Sweep Rate	Fixed (50 to 400 kHz)^c		Selectable (Up to 400 kHz)^d	Selectable (Up to 1 MHz)^d
Data Acquisition Configuration	k-Clocking	k-Clocking	k-Clocking	Dual Channel
Digital k-Clock Output
Analog Clock Output	-
Integrated Balanced Detector	-

各モデルの詳細は「仕様」タブをご覧ください。
100 nmの全掃引範囲を、設定可能なすべての掃引速度で掃引できるわけではありません。
各モデルの固定掃引速度は50～400 kHzの範囲内で設定されています。詳細は「仕様」タブをご覧ください。
掃引速度はモード設定に依存します。詳細は「仕様」タブをご覧ください。

特長

ベンチトップ型波長掃引レーザ光源
中心波長:1060 nmまたは1300 nm
動作モードが固定のモデル(SLシリーズ)
- 掃引速度、マッハツェンダ干渉計(MZI)遅延量、イメージング深度範囲を特定の値に固定
- 差分ディテクタを内蔵するタイプと無いタイプをご用意
3種類の動作モードから選択可能なモデル(SLZシリーズ)
- 各モードの掃引速度、波長掃引範囲、マッハツェンダ干渉計(MZI)遅延量は予め設定済み
- デジタル信号およびアナログ信号のkクロック
最大モードホップフリー波長掃引範囲：100 nm
kクロック信号の遅延量は調整可能
トリガ信号、kクロック信号の出力端子付き
カスタム構成も承ります(詳細は当社までお問い合わせください)。

当社ではご購入に関するご相談やご要望を承ります。
当社までご連絡ください。

波長掃引レーザとして、中心波長1060 nmまたは1300 nmの製品をご用意しております。これらは全波長掃引範囲にわたりモードホップフリーで動作します。コヒーレンス長は大変長く、100 mmを超えます。これらのベンチトップ型レーザ光源は、主に優れた感度を必要とする高速の長距離光コヒーレンストモグラフィ(OCT)システム用に設計されていますが、眼科学、計測学、分光学などの用途にも適しています。光源はMEMSベースの波長可変垂直共振器型面発光レーザ(MEMS-VCSEL)で、レーザの寿命期間を通して一定の出力を維持するアクティブ型の出力制御機能を備えています。固定モードのSLシリーズと、3種類のモードから選択可能なSLZシリーズをご用意しています。

固定モード光源SLシリーズ
SLシリーズレーザ光源としては、予め掃引速度とマッハツェンダ干渉計(MZI)の遅延量が特定の値に設定されたモデルを、数種類ご用意しています。掃引速度は50 kHz～400 kHz、MZI遅延量は8 mm～72 mmの範囲から選択することができます。SLシリーズ光源には、当社の差分ディテクタが組み込まれた製品もございます。機能の概要については、Table 1.1をご覧ください。

3種類のモードから選択可能な光源SLZシリーズ
SLZシリーズは、汎用性の高いスリーインワンのレーザ光源です。各レーザには3つの選択可能なMZI構成(モード)があり、それぞれ掃引速度、波長掃引範囲、MZI遅延量が異なります。モードを選択できるため、高速で柔軟なOCTイメージングが可能になります。1つのモードで「眼全体」を撮像し、次にモードを素早く切り替えて特定の部位を高解像度で撮像することができます。詳細は「OCTイメージング」タブをご覧ください。このシリーズでは2種類の光源をご用意しています。データ収集にデジタルkクロックを使用するタイプ(k-Clocking)の光源は、最大400 kHzまでの掃引速度に最適化されています。もう一方のアナログMZI信号をアナログkクロックとして使用するタイプ(Dual-Channel)の光源は、1 MHzまでの掃引速度に最適化されています。機能の概要については、Table 1.1をご覧ください。

デジタルkクロック
MEMS-VCSELレーザをカスタム仕様の波長掃引型OCTシステムに簡単に組み込むには、駆動回路やトリガ信号発生回路が必要ですが、それらはすべてこの光源に装備されています。SLシリーズとSLZシリーズのどちらの光源も、内蔵のマッハツェンダ干渉計(MZI)とその駆動回路によって生成されるデジタルkクロック信号を出力することができます。この信号は、データ収集用のサンプリングクロックとしてそのまま使用することができ、k空間で再サンプリングをする必要はありません。詳細は「製品の詳細」タブをご覧ください。kクロック信号の遅延時間は0～16.6 nsの範囲で、レーザの出力は±5%の範囲で調整可能です。詳細はApp Note:Understanding MEMS-VCSEL Bandwidth Definitionsをご覧ください。

アナログクロックと「Dual-Channel」によるデータ収集
SLZシリーズレーザ光源は、MZIから出力される干渉信号を、そのままアナログクロック信号として出力する機能も備えています。アナログkクロックの詳細は「製品の詳細」タブをご覧ください。このアナログ信号は、Dual-Channelデータ収集法など、クロックの位相整合性が極めて重要なデータ収集技術を使用する場合に有用です。このデータ収集方法では、MZIからのアナログクロック信号とOCTデータを並行してサンプリングします。kクロックデータ収集法では、サンプリングレートはデジタルkクロック信号の周波数によって制限されてしまいます。それに対してDual-Channelデータ収集法では、サンプリングレートはデータ収集システムの性能によってのみ制限されるため、より高いスキャンレートと深いイメージング深度を得ることができます。しかしこのDual-Channelの方法では、kクロックによる方法に比べて、より高度なデータ処理が必要になります。詳細はApp Note:Data Acquisition with Swept Source OCTをご覧ください。 SLZシリーズ光源の内、型番末尾が「2」の製品はDual Channelデータ収集用に最適化されています。

Class 1M Laser Sticker Class 3R Laser Sticker

仕様

こちらでは、SLおよびSLZシリーズのMEMS-VCSEL光源の仕様をご覧いただけます。

内容

SLシリーズ1060 nm
SLZシリーズ1060 nm
SLシリーズ1300 nm
SLZシリーズ1300 nm
SLおよびSLZシリーズの電気的・物理的仕様

MEMS VCSEL波長掃引レーザ光源SLシリーズ、1060 nm

Item #s		SL100060, SL100061	SL101080, SL101081	SL101060, SL101061	SL102080, SL102081	SL104070, SL104071
Sweep Rate	f_MEMS	60 kHz	100 kHz	100 kHz	200 kHz	400 kHz
Duty Cycle (Unidirectional Sweep)	D_BOA	> 60%	> 60%	> 60%	> 50%	> 50%
MZI Delay	Δ_MZI	48 mm	24 mm	48 mm	24 mm	8 mm
k-Clock Minimum Points^a	N_min	4096	2048	4096	2048	640
k-Clock Max Frequency (Typical)	f_clock	500 MHz	500 MHz	900 MHz	900 MHz	900 MHz
Imaging Depth Range (Approximate)	Δz_max	12 mm	6 mm	12 mm	6 mm	2 mm

kクロックについてはこちらで解説しています。

Optical Specifications for 1060 nm SL Series Swept Sources
Parameter	Symbol	Minimum	Typical	Maximum
Center Wavelength	λ_c	1040 nm	1060 nm	1080 nm
Wavelength Sweep Range^a (-10 dB)	Δλ_sweep	95 nm	100 nm	-
Average Output Power	P_o	15 mW	17.5 mW	20 mW
Coherence Length	L_Coh	100 mm	>1 m	-
Spectral Ripple Noise Suppression	dP	-	≥50 dB	-
Relative Intensity Noise (RIN)	RIN_ORTHO	-	-	2%
λ Trigger Wavelength^b	-	1045 nm	1050 nm	1055 nm
Output Fiber Numerical Aperture	NA	-	0.105	-
Laser Classification (IEC 60825-1:2014)	-	3R

MEMS-VCSELの帯域幅および波長掃引範囲についてはこちらで解説しています。
2021年12月13日以前に製造された製品のλトリガ波長は1055 nm～1065 nmになっています。

MEMS VCSEL波長掃引レーザ光源SLZシリーズ、1060 nm

Item #s	SLZ1001			SLZ1002
Parameter	Mode 1	Mode 2	Mode 3	Mode 1	Mode 2	Mode 3
Sweep Rate	50 kHz	100 kHz	400 kHz	100 kHz	400 kHz	1000 kHz
Duty Cycle (Unidirectional Sweep)	> 60%	> 60%	> 50%	> 60%	> 50%	> 40%
Minimum Wavelength Sweep (-10 dB)^a,b	69 nm	95 nm	95 nm	69 nm	95 nm	33 nm
Typical Wavelength Sweep (-10 dB)	74 nm	100 nm	100 nm	74 nm	100 nm	38 nm
MZI Delay	152 mm	56 mm	11.7 mm	28 mm	5.5 mm	4 mm
k-Clock Max Frequency (Typical)	< 1 GHz	< 1 GHz	< 1 GHz	< 500 MHz	< 500 MHz	< 500 MHz
OCT Imaging Depth Range^c,d	38.0 mm	14.0 mm	2.9 mm	38.0 mm	5.9 mm	4.0 mm
Recommended Data Acquisition	k-Clocking	k-Clocking	k-Clocking	Dual Channel	Dual Channel	Dual Channel

提供されるkクロックを使用してサンプリングできる光帯域幅は、これらの値以上になります。
MEMS-VCSELの帯域幅および波長掃引範囲についてはこちらで解説しています。kクロックデータ収集とDual-Channelデータ収集の比較についてはこちらで解説しています。
型番SLZ1001: MEMS-VCSELデジタルkクロックを使用して1GS/sでデータ収集したときのOCTシステムの概略仕様
型番SLZ1002: MEMS-VCSELアナログkクロックを使用して2GS/sでデータ収集したときのOCTシステムの概略仕様

Optical Specifications for 1060 nm SLZ Series Swept Sources
Parameter	Symbol	Minimum	Typical	Maximum
Center Wavelength	λ_c	1040 nm	1060 nm	1080 nm
Average Output Power	P_o	15 mW	17.5 mW	-
Coherence Length	L_Coh	100 mm	>1 m	-
Relative Intensity Noise (RIN)	RIN_ORTHO	-	-	2%
λ Trigger Wavelength	-	1058 nm	1063 nm	1068 nm
Output Fiber Numerical Aperture	NA	-	0.105	-
Laser Classification (IEC 60825-1:2014/A11:2021)	-	3R

MEMS VCSEL波長掃引レーザ光源SLシリーズ、1300 nm

Item #s		SL130160, SL130161	SL131090, SL131091	SL131160, SL131161	SL132120, SL132121	SL134050, SL134051
Sweep Rate	f_MEMS	50 kHz	100 kHz	100 kHz	200 kHz	400 kHz
Duty Cycle (Unidirectional Sweep)	D_BOA	> 60%	> 60%	> 60%	> 50%	> 50%
MZI Delay	Δ_MZI	72 mm	44 mm	72 mm	32 mm	12 mm
k-Clock Minimum Points^a	N_min	4096	2496	4096	1792	640
k-Clock Max Frequency (Typical)	f_clock	500 MHz	500 MHz	900 MHz	900 MHz	900 MHz
Imaging Depth Range (Approximate)	Δz_max	18 mm	11 mm	18 mm	8 mm	3 mm

kクロックについてはこちらで解説しています。

Optical Specifications for 1300 nm SL Series Swept Sources
Optical Specifications	Symbol	Minimum	Typical	Maximum
Center Wavelength	λ_c	1280 nm	1300 nm	1320 nm
Wavelength Sweep Range^a (-10 dB)	Δλ_sweep	95 nm	100 nm	-
Average Output Power	P_o	20 mW	25 mW	30 mW
Coherence Length	L_Coh	100 mm	>1 m	-
Spectral Ripple Noise Suppression	dP	-	≥50 dB	-
Relative Intensity Noise (RIN)	RIN_ORTHO	-	-	2%
λ Trigger Wavelength	-	1295 nm	1300 nm	1305 nm
Output Fiber Numerical Aperture	NA	-	0.09	-
Laser Classification (IEC 60825-1:2014)	-	1M

MEMS-VCSELの帯域幅および波長掃引範囲についてはこちらで解説しています。
2021年12月13日以前に製造された製品のλトリガ波長は1305 nm～1315 nmになっています。

MEMS VCSEL波長掃引レーザ光源SLZシリーズ、1300 nm

Item #s	SLZ1301			SLZ1302
Parameter	Mode 1	Mode 2	Mode 3	Mode 1	Mode 2	Mode 3
Sweep Rate	50 kHz	200 kHz	400 kHz	100 kHz	400 kHz	1000 kHz
Duty Cycle (Unidirectional Sweep)	> 60%	> 60%	> 50%	> 60%	> 50%	> 40%
Minimum Wavelength Sweep (-10 dB)^a,b	95 nm	95 nm	95 nm	95 nm	95 nm	33 nm
Typical Wavelength Sweep (-10 dB)	100 nm	100 nm	100 nm	100 nm	100 nm	38 nm
MZI Delay	169 mm	42 mm	17.5 mm	42 mm	8.5 mm	6 mm
k-Clock Max Frequency (Typical)	< 1 GHz	< 1 GHz	< 1 GHz	< 500 MHz	< 500 MHz	< 500 MHz
OCT Imaging Depth Range^c,d	42.3 mm	10.5 mm	4.4 mm	42.3 mm	8.8 mm	6.0 mm
Recommended Data Acquisition	k-Clocking	k-Clocking	k-Clocking	Dual Channel	Dual Channel	Dual Channel

提供されるkクロックを使用してサンプリングできる光帯域幅は、これらの値以上になります。
MEMS-VCSELの帯域幅および波長掃引範囲についてはこちらで解説しています。 kクロックデータ収集とDual-Channelデータ収集の比較についてはこちらで解説しています。
型番SLZ1301: MEMS-VCSELデジタルkクロックを使用して1GS/sでデータ収集したときのOCTシステムの概略仕様
型番SLZ1302: MEMS-VCSELアナログkクロックを使用して2GS/sでデータ収集したときのOCTシステムの概略仕様

Optical Specifications for 1300 nm SLZ Series Swept Sources
Parameter	Symbol	Minimum	Typical	Maximum
Center Wavelength	λ_c	1280 nm	1300 nm	1320 nm
Average Output Power	P_o	20 mW	25 mW	-
Coherence Length	L_Coh	100 mm	> 1 m	-
Relative Intensity Noise (RIN)	RIN_ORTHO	-	-	2%
λ Trigger Wavelength	-	1295 nm	1300 nm	1305 nm
Output Fiber Numerical Aperture	NA	-	0.09	-
Laser Classification (IEC 60825-1:2014/A11:2021)	-	1M

MEMS-VCSEL波長掃引レーザ光源SLおよびSLZシリーズの電気的・物理的仕様

SLZ Series Electrical Performance Specifications
Parameter	Minimum	Typical	Maximum
k-Clock "Dummy Clock" Frequency	-	250 MHz	-
Digital k-Clock Amplitude	-	-	1.0 V_pp
Analog k-Clock Amplitude	-	-	0.8 V_pp
Electronic MZI Signal Adjustable Delay	0 to 16.6 ns
Sweep Trigger Pulse Width (100 kHz Sweep Rate)	-	450 ns	-
Sweep Trigger Output Type	LVTTL
λ Trigger Pulse Width (100 kHz Sweep Rate)	-	750 ns	-
λ Trigger Output Type	LVTTL
RF Output	-	-	2.0 V_pp
Monitor+ and Monitor-	0 to 1.5 V
Laser Controller Start Delay	5 s	-	15 s

SL Series Electrical Performance Specifications
Parameter	Minimum	Typical	Maximum
k-Clock "Dummy Clock" Frequency	-	250 MHz	-
Digital k-Clock Amplitude	-	-	1.0 V_pp
Sweep Trigger Pulse Width (100 kHz Sweep Rate)	-	350 ns	-
Sweep Trigger Rise Time	-	0.6 ns	-
Sweep Trigger Output Type	LVTTL
λ Trigger Pulse Width (100 kHz Sweep Rate)	25 ns	50 ns	75 ns
λ Trigger Rise Time	-	0.6 ns	-
λ Trigger Output Type	LVTTL
RF Output^a	-	-	2.0 V_pp
Monitor+ and Monitor-^a	0 to 1.5 V
Laser Controller Start Delay	5 s	-	15 s

この出力の仕様は差分ディテクタが内蔵されていないSL1xxxx0光源には適用されません。

Physical Specifications
Parameter	Minimum	Maximum
Main AC Voltage	100 VAC	250 VAC
Power Consumption	-	45 W
Line Frequency	50 Hz	60 Hz
Operating Temperature	10 °C	35 °C
Storage Temperature	0 °C	50 °C
Relative Humidity	-	85%, Non-Condensing

このデータは当社のMEMS-VCSEL波長掃引レーザ光源SLおよびSLZシリーズの典型的な性能であり、参考値としてご提示しています。すべてのモデルの保証仕様は「仕様タブでご覧いただけます。

SLシリーズ

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波長掃引光源SL10xxxxの出力光スペクトル

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波長掃引光源SL13xxxxの出力光スペクトル

SLZシリーズ

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波長掃引光源SLZ100xの出力光スペクトル、波長掃引幅：38 nm、74 nm、100 nm

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波長掃引光源SLZ130xの出力光スペクトル、波長掃引幅：38 nm、100 nm

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Figure 4.1 差分ディテクタ内蔵型MEMS-VCSEL波長掃引レーザ光源の概略図
*差分ディテクタとそれに付随する回路と端子は、
型番末尾が0の製品には付いていません。

当社のベンチトップ型MEMS-VCSELシステムには、必要なレーザ駆動回路、温度コントローラ、トリガ信号発生器、光アイソレータなどがすべて内蔵されているため、簡単に操作することができ、また様々な波長掃引OCTシステムに組み込むことができます。これらのレーザ光源では、特別に設計されたマッハツェンダ干渉計(MZI)を用いて「kクロック」が生成されており、それがデータ取得のためのデジタルトリガー信号として出力されます。また、レーザ光源SLZシリーズでは、MZIの干渉信号をアナログクロックとして直接出力することもできます。このアナログ信号により、デジタルkクロックによるデータ収集(k-Clocking)に代わり、「Dual-Channel」データ収集が可能になります。

Figure 4.1はベンチトップ型MEMS-VCSELシステムの概略構成図です。これらのレーザは、MEMS-VCSEL共振器、偏光依存型半導体光増幅器(BOA)、モニタ用光ファイバーネットワーク、信号発生回路で構成されています。MEMS-VCSEL共振器モジュールからの出力光は、半導体光増幅器(BOA)に送られて増幅されます。ベンチトップ型レーザ光源には光アイソレータが内蔵されているため、レーザの外部にアイソレータを設置する必要はありません。図の下部に示されている3種類の電気信号は何れもSMA端子を介して出力され、データ取得システムを波長掃引レーザの出力に同期するのにご使用いただけます。

掃引トリガ
掃引トリガ(Sweep Trigger)端子からは、波長掃引開始時に電気的に生成されたLVTTLトリガーパルスが出力されます。パルスの立ち上がりエッジが掃引の開始と同期しています。掃引トリガは、一般にデータ取得システムのトリガに使用されます。信号は50 Ωで直列終端されています。

波長トリガ(λトリガ)
波長トリガ(λ Trigger)端子からは、レーザの出力光の波長が特定の波長を越えたときに、光学的に生成されたLVTTLトリガーパルスが出力されます。このファイバーブラッググレーティングをベースにした光学トリガは、通常は掃引の中間点を表します。波長の安定性が高いため掃引トリガの代わりにも使用され、また掃引の繰り返しに対する安定性が必要とされる位相に敏感な用途にも使用可能です。信号は50 Ωで直列終端されています。

kクロック
kクロック(k-clock)信号はマッハツェンダ干渉計で生成され、データ収集のためのサンプリング用クロックとして使用されます。マッハツェンダ干渉計からデジタル信号として出力される「kクロック」は波数と線形関係にあるため、この光学的に生成された信号を用いれば、(時間領域での信号と違って)「k空間」での線形的なサンプリングが可能になります。この信号はAC結合のデジタルクロックで、振幅は0.7～1.0 Vppです。波長を元に戻す逆方向掃引の時は、kクロック回路は「ダミークロック」に切り替えられて周波数固定となり、光学サブシステムとは無関係になります。ダミークロックの周波数は約250 MHzです。

アナログクロック (SLZシリーズのみ)
アナログクロック信号は、MZIから直接出力された干渉信号を±400 mVに増幅したものです。クロック信号はレーザが順方向掃引中にのみ出力されますが、これはレーザがアクティブに光を放射しているときに対応します。逆方向掃引の時に「ダミークロック」信号は生成されません。信号を最適伝送するために、50 Ω負荷にインピーダンス整合されています。このkクロック信号は、クロックの位相整合性を維持することが極めて重要なデータ収集技術に利用することができます。

差分ディテクタ(SL1xxxx0光源には内蔵されていません)
型番末尾が1および2の製品に内蔵されている差分ディテクタは、2つの整合性の高いフォトダイオードと、超低ノイズの高速トランスインピーダンスアンプで構成されています。Rx+とRx-の差分をとることにより差分レシーバとして機能し、コモンモード雑音を除去します。これにより、干渉ノイズフロアから信号経路における小さな変化を抽出してRF出力電圧が生成されます。各フォトダイオードに入射している光パワーのレベルはMonitor+とMonitor- の高速モニタ出力でモニタできます。

下のリンクからSLまたはSLZシリーズのパネルをご覧いただけます。

SLシリーズレーザ光源のパネル
SLZシリーズレーザ光源のパネル

注: 光学ポートと外部測定装置との接続には、SL10およびSLZ10光源ではHI1060ファイバ、SL13およびSLZ13光源ではSMF-28ファイバを使用するように設計されています。

SLシリーズ前面＆背面パネル(差分ディテクタなしSL1xxxx0光源)

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Figure 5.1 MEMS-VCSEL光源SLシリーズの前面パネル

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Figure 5.2 MEMS-VCSEL光源SLシリーズの背面パネル

SLシリーズ前面＆背面パネル(差分ディテクタ付きSL1xxxx1光源)

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Figure 5.3 MEMS-VCSEL光源SLシリーズの前面パネル(差分ディテクタ付き)

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Figure 5.4 MEMS-VCSEL光源SLシリーズの背面パネル(差分ディテクタ付き)

Front Panel
Callout	Description
1	Laser Enable Button
2	Laser Power Key Switch
3^a	Optical Output, 2.0 mm Narrow-Key FC/APC Connector
4^a	Rx+ Optical Input, 2.0 mm Narrow-Key FC/APC Connector
5^a	Rx- Optical Input, 2.0 mm Narrow-Key FC/APC Connector

扉を右にスライドすると埃や外部への露出に対して保護できます。開くときは左にスライドさせてください。

Back Panel
Callout	Description
1	Data Acquisition (DAQ) Trigger Signal (SMA Female)
2	Center Wavelength (CWL) Trigger Signal (SMA Female)
3	k-Clock Signal (SMA Female)
4	Balanced Detector RF Output Signal (SMA Female)
5	Balanced Detector Monitor+ (SMA Female)
6	Balanced Detector Monitor- (SMA Female)
7	USB Type-B Port
8	Main Power Switch
9	Fuse Holder
10	AC Power Cord Connector
11	Interlock Connector (2.5 mm Mono Phono Jack)

SLZシリーズ前面＆背面パネル

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Figure 5.5 MEMS-VCSEL光源SLZシリーズの前面パネル

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Figure 5.6 MEMS-VCSEL光源SLZシリーズの背面パネル

Front Panel
Callout	Description
1	Mode Switch Button
2	"Laser Active" LED Indicator
3	Laser Enable Button
4	"Laser Power" LED Indicator
5	Laser Power Key Switch
6	"Laser Mode" LED Indicator
7^a	Optical Output Connector, 2.0 mm Narrow-Key FC/APC Connector
8^a	+ Optical Input Connector for Balanced Detector, 2.0 mm Narrow-Key FC/APC Connector
9^a	- Optical Input Connector for Balanced Detector, 2.0 mm Narrow-Key FC/APC Connector

扉を右にスライドすると埃や外部への露出に対して保護できます。開くときは左にスライドさせてください。

Back Panel
Callout	Description
1	Data Acquisition (DAQ) Trigger Signal (SMA Female)
2	Digital k-Clock Signal (SMA Female)
3	Balanced Detector RF Output Signal (SMA Female)
4	Balanced Detector Monitor+ (SMA Female)
5	Balanced Detector Monitor- (SMA Female)
6	Analog k-Clock Signal (SMA Female)
7	Center Wavelength (CWL) Trigger Signal (SMA Female)
8	USB 2.0 Type-B Port
9	Main Power Switch
10	Fuse Holder
11	AC Power Cord Connector
12	Interlock Connector (2.5 mm Mono Phono Jack)

Figure 6.1 MEMS-VCSEL波長掃引光源ユーティリティのGUI

ソフトウェア

バージョン 2.3

このソフトウェアパッケージには、MEMS-VCSEL波長掃引光源を制御するためのGUIが含まれています。

MEMS-VCSEL波長掃引光源ユーティリティ

当社のMEMS-VCSELレーザ光源は、このソフトウェアパッケージを用いてすべての制御を行うことができます。レーザのリモート起動をはじめ、MZI遅延量や光パワーといったモジュールのすべての設定を行なうことができます。SLZシリーズ光源の3つの動作モードは、ソフトウェアGUIを使用して切り替えることもできます。このソフトウェアは、各機器に付属するUSBメモリで提供されます。右のリンクからのダウンロードも可能です。ソフトウェアを使用するには、Windows^® 10または11のPCが必要です。

MEMS-VCSEL波長掃引光源には下記のコンポーネントが含まれています。

MEMS-VCSELレーザ光源
USBメモリースティック(ソフトウェア、マニュアル、クイックスタートガイド)
USB 2.0 Type-A - Type-B ケーブル、長さ2 m
SMA同軸ケーブル、SMAオス-SMAオス、長さ2 m(3本)
鍵(2本)
国内対応AC電源ケーブル
ファイバーバルクヘッドおよびコネクタ用クリーナFBC250
クイックスタートガイド(冊子)
1A / 250 VACヒューズ、スローブロー型(2個)
モードIDカード(SLZシリーズのみ)

MEMS-VCSEL波長掃引光源SLシリーズを使用したOCTイメージング
MEMS-VCSEL光源を用いて構築されたOCTシステムでは、高品質なイメージングと深いイメージング深度を得ることができます。Figure 8.1のOCTによる前眼部の断面画像は、Vega OCTシステムに内蔵されているSSL131090と同等のレーザを用いて取得しました。レーザは100 nmの波長域を100 kHzの速度で掃引しました。このVegaシステムでは遅延量44 mmのマッハツェンダ干渉計(MZI)が使用されており、大気中での最高軸方向分解能として16 μmが得られ、また最大深度として11 mmまで高分解能でのイメージングが可能です。OCTの測定信号は500 MSPSのA/Dコンバータによってデジタル化され、システムは毎秒100 000回のAスキャンができます。このシステムとその性能についての詳細はこちらをご覧ください。

点拡がり関数(Point Spread Function/PSF)はイメージングシステムの光学性能を表す指標で、ピークの幅が狭いほど性能が良いことを示します。Figure 8.2のグラフは、Figure 8.1のイメージングで使用したものと同じVegaシステムのPSFですが、これは当社の波長掃引レーザ光源を用いたすべてのOCTシステムで得られる典型的なものです。例として、SL101081が組み込まれたシステムで得られたPSFをFigure 8.3でご覧いただけます。同様の性能を示していますが、最大イメージング深度は6 mmです。

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Figure 8.1 SL13シリーズMEMS-VCSEL波長掃引光源を内蔵したOCTシステムで取得した前眼部の断面画像

MEMS-VCSEL Point Source Function, SL13 Series

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Figure 8.2 SL13シリーズMEMS-VCSEL波長掃引光源を内蔵したOCTシステムで取得した点拡がり関数(kクロック使用)

MEMS-VCSEL Point Source Function, SL10 Series

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Figure 8.3 SL10シリーズMEMS-VCSEL波長掃引光源を内蔵したOCTシステムで取得した点拡がり関数(kクロック使用)

MEMS-VCSEL波長掃引光源SLZシリーズを使用したOCTイメージング

Table 8.4 OCT Imaging with the SLZ1001 Source
Parameter	Mode 1	Mode 2	Mode 3
Sweep Rate	50 kHz	100 kHz	400 kHz
Imaging Depth (Approximate)	38.0 mm	14.0 mm	2.9 mm
Wavelength Sweep Range (-10 dB)	74 nm	100 nm	100 nm
OCT Image of an Artificial Eye (Click for Image)

SLZシリーズのレーザ光源をOCTシステムに組み込むと、イメージングする際に多様な選択が可能になります。あらかじめ設定された3種類のMZI構成では、それぞれにより画像取得速度や画質が異なります。Sweep Rate、Imaging Depth Range、Wavelength Sweep Rangeにより、それぞれ画像取得速度、画像化された断面のサイズ(深さ)、および軸方向のOCT解像度が決定されます。波長掃引光源SLZ1001を用いて、3種類のMZI構成(モード)で人工眼球のOCT画像を取得しました。Table 8.4に、モード1、2、3のパラメータと、それに対応するOCT画像を示します。モード1では最も深い深度の画像が得られていますが、掃引速度が遅く、また波長掃引範囲が狭いため、眼球全体の画像は見えますが軸方向のOCT解像度は低くなっています。モード2では、画像深度を多少犠牲にして、掃引速度を速くし、また波長掃引範囲を広く(100 nm)したため、最高の解像度を有する中サイズのサンプル画像が得られています。モード3では、画像深度を犠牲にして、最高の分解能を維持しながら高速で画像を取得しています。

Figure1: VCSEL Schematic
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図1：Praevium社のMEMS波長可変VCSELでは革新的な設計を採用しており、高速で発振波長域が広く、またコヒーレンス長も長いという特性を実現しています。これらの特性は、波長掃引(SS)OCT用途に適しています。

Figure2: MEMS-VCSEL Wafer Photo
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図2：MEMS波長可変VCSELは単一ウェハ上に高密度に作り込むことができ、生産性を上げることができます。右上に挿入された写真は、加工後の単一のMEMS波長可変VCSELです。MEMS波長可変VCSELの外形寸法は約600 μm×600 μmです。　

VCSEL概要
垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)は、チップ表面に対して垂直方向に光を出力する半導体ベースの光デバイスです(図1を参照)。VCSELは元々、端面発光型半導体レーザに代わる、低コスト、低出力の半導体として、主に大容量データ通信用に開発されました。その後、多くのVCSELの利点が明らかとなり、様々な用途において、端面発光型半導体レーザに代わる使用方法が検討されてきました。端面発光型の光源と比較して、VCSELは優れたビーム品質と縦シングルモード動作をもたらします。　

MEMS波長可変VCSEL では、MEMSミラーでレーザの共振器長を変えて出力波長を調整します。MEMS波長可変VCSELは数年前から存在していますが、可変波長域と出力が制限されることが、OCT用途での使用を妨げてきました。Praevium Research社は、当社およびMIT との協力のもと、こうした制限のないMEMS波長可変VCSELを開発しました。

MEMS波長可変VCSELがOCTの用途に使用できるためには、以下の基準を満たす必要があります。

高速な掃引速度　
広いチューニングレンジ
長いコヒーレンス長
高いレーザ出力

高速な掃引速度
OCTでは、画質を劣化させることなく高速にイメージングできることが要求されます。高速な画像取得レートにより、時間分解能の向上、高密度の3次元データセット収集、試料へのレーザ照射時間の減少が可能となります。

現在では、高速走査を可能にする波長掃引レーザ光源がいくつかあります。例えば、フーリエドメインモード同期レーザは非常に高速なイメージング速度を可能としますが、レーザ共振器内で光ファイバによる長い光遅延を必要とし、ファイバ損失が小さい波長範囲でしか動作できません。市販の高速掃引レーザは、その多くがマルチ縦モードまたは長い共振器長で動作するので、コヒーレンス長または掃引速度が制限されます。　

MEMS波長可変VCSEL内のMEMS調整ミラーは、質量が小さく共振器長が短いため、高速動作に適しています。また、短い共振器長によって、利得スペクトル内には1つのモードしかないため、シングルモードでの連続的な掃引も可能になります。当社では、MEMS波長可変VCSELの試作品を使用して、掃引速度を上げるために、光多重化を用いることなく、500 kHzを超える掃引レートの計測を実現しました。　

広い波長掃引幅　
高分解能イメージングの性能は、レーザ光源の波長掃引幅に依存します。Praevium社は、これまで開発されてきた中で最も広い掃引幅を持つMEMS波長可変VCSELを開発しました。広帯域の酸化ミラー、広帯域の利得領域、薄いアクティブ領域などのユニークな設計により、中心波長1300 nm付近で、100 nmを超える連続的なモードホップフリーの波長掃引幅を実現しました。詳細は図3をご参照ください。

Figure 3: Spectral Tuning
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図3：MEMS波長可変VCSELは100 nm 以上の波長掃引が可能です。上図は中心波長1300 nm、スペクトル帯域幅110 nmの縦シングルモード動作を示しています。

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図4：上図は200 kHz動作、中心波長1310 nm付近で、ポストアンプにSOAを使用して増幅されたMEMS波長可変VCSELのスペクトルです。

長いコヒーレンス長
多くのOCTシステムで顕著に見られる性能限界の1つが可視深度(イメージングの最大深度)です。特に、試料の厚さ、患者の動き、試料位置が制御できない医療用途では、深くまでイメージングできることは強みとなります。しかしコヒーレンス長を長くするだけでは不十分です。イメージ感度が全ての深さで実質的に影響を受けない必要があります。当社のMEMS波長可変VCSELは、マイクロメートルスケールの共振器長と、縦シングルモードのモードホップフリー動作によって、信号の劣化がほとんどない、100 mmを超えるコヒーレント長を実現しました。現在、イメージング深度はディテクタの帯域幅によって制限されていますが、当社では MEMS波長可変VCSELがこれまでにない深いイメージング深度を達成すると考えています。この優れたイメージング深度は医療用OCTイメージングに役立つだけでなく、大きな物体の表面形状計測、高速な周波数領域の反射率測定、高スペクトル分解能での高速分光計測のように他の用途での使用を可能にします。

高いレーザ出力
イメージング速度の高速化は、しばしばレーザ出力や試料に照射する光強度の減少につながります。端面発光型光源がVCSEL に優る利点の1つは、出力強度を大きくできることです。一般に、ほとんどのOCT イメージング用途では、高速走査レートのイメージング時でも画質を維持するため、少なくとも20 mW のレーザの出力パワーを必要とします。この目標を達成するため、MEMS波長可変VCSELを半導体光増幅器(SOA)と組み合わせて、25 mWを上回る出力を得られるようにしました。ポストアンプSOAによりMEMS-VCSELの出力スペクトルの形がより均一に整えられるという利点もあります。

その他　
MEMS波長可変VCSELならではの特長は、異なる波長範囲に拡張できることです。利得媒質と誘電体反射ミラーの革新的な組み合わせによって、可視域や近赤外域における広い波長範囲の対応が可能となり、この新しい光源製品はこれからラインナップを増強していきます。

当社では今後もこの光源の開発を継続しながら、このVCSEL光源を用いた新しい用途を追及してまいります。MEMS波長可変VCSELの詳細については当社までお問い合せください。

MEMS波長可変VCSEL の製造　

ステップ1
Step 1
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VCSELのウェハでは、多重量子井戸(MQW)活性層(A)の形成からプロセスが始まります。MQW層はInP基板上(B)に成長され、後にGaAs基板(D)上で成長させたGaAsベースのミラー(C)とMQW活性層と接合されます。

ステップ2
Step 2
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InP基板はエッチング停止層(E)に至るまで化学的にエッチングされます。GaAsベースのミラーは酸化され、広帯域誘電体反射ミラー(F)が形成されます。

ステップ3　
Step 3
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エッチング停止層を除去した後、ARコーティング(G)と環状のMEMS底面アクチュエーターコンタクト層(H)が、MQW活性層(A)の上に成膜されます。

ステップ4　
Step 4
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厚さと組成が特別に設計された犠牲層(I)が成膜されます。

ステップ5　
Step 5
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膜状の層(J)と環状のMEMS上面アクチュエーターコンタクト層(K)が犠牲層の上に成膜されます。

ステップ 6
Step 6
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最後に、誘電体反射ミラー(L)が成膜およびパターニングされます。MEMS上面コンタクト層はさらにパターニングされ、アクチュエータの作製が完了します。MQW構造の上部の可動ミラーを残して犠牲層は除去されます。これにより、1つのデバイス中にMEMSベースの波長調整素子とVCSELを作り出すことができます。

レーザの安全性とクラス分類

レーザを取り扱う際には、安全に関わる器具や装置を適切に取扱い、使用することが重要です。ヒトの目は損傷しやすく、レーザ光のパワーレベルが非常に低い場合でも障害を引き起こします。当社では豊富な種類の安全に関わるアクセサリをご提供しており、そのような事故や負傷のリスクの低減にお使いいただけます。可視域から近赤外域のスペクトルでのレーザ発光がヒトの網膜に損傷を与えうるリスクは極めて高くなります。これはその帯域の光が目の角膜やレンズを透過し、レンズがレーザーエネルギを、網膜上に集束してしまうことがあるためです。

安全な作業および安全に関わるアクセサリ

クラス3または4のレーザを取り扱う場合は、必ずレーザ用保護メガネを装着してください。
当社では、レーザのクラスにかかわらず、安全上無視できないパワーレベルのレーザ光線を取り扱う場合は、ネジ回しなどの金属製の器具が偶然に光の方向を変えて再び目に入ってしまうこともあるので、レーザ用保護メガネを必ずご使用いただくようにお勧めしております。
特定の波長に対応するように設計されたレーザ保護眼鏡は、装着者を想定外のレーザ反射から保護するために、レーザ装置付近では常に装着してください。
レーザ保護眼鏡には、保護機能が有効な波長範囲およびその帯域での最小光学濃度が刻印されています。
レーザ保護カーテンやレーザー安全保護用布は実験室内での高エネルギーレーザの遮光にご使用いただけます。
遮光用マテリアルは、直接光と反射光の両方を実験装置の領域に封じ込めて外に逃しません。
当社の筺体システムは、その内部に光学セットアップを収納し、レーザ光を封じ込めて危険性を最小限に抑えます。
ピグテール付き半導体レーザは、他のファイバに接続、もしくは他のファイバとの接続を外す際には、レーザ出力をOFFにしてください。パワーレベルが10 mW以上の場合には特にご注意ください。
いかなるビーム光も、テーブルの範囲で終端させる必要があります。また、レーザ使用中には、研究室の扉は必ず閉じていなければなりません。
レーザ光の高さは、目線の高さに設定しないでください。
実験は光学テーブル上で、全てのレーザービームが水平を保って直進するように設定してください。
ビーム光路の近くで作業する人は、光を反射する不要な装飾品やアクセサリ(指輪、時計など)をはずしてください。
レンズや他の光学装置が、入射光の一部を、前面や背面で反射する場合がありますのでご注意ください。
あらゆる作業において、レーザは必要最小限のパワーで動作するようにご留意ください。
アライメントは、可能な限りレーザの出力パワーを低減して作業を行ってください。
ビームパワーを抑えるためにビームシャッタやフィルタをお使いください。
レーザのセットアップの近くや実験室には、適切なレーザ標識やラベルを掲示してください。
クラス3Rやクラス4のレーザ(安全確保用のインターロックが必要となるレーザーレベルの場合)で作業する場合は、警告灯をご用意ください。
ビームトラップの代用品としてレーザービュワーカードを使用したりしないでください。

レーザ製品のクラス分け

レーザ製品は、目などの損傷を引き起こす可能性に基づいてクラス分けされています。国際電気標準会議(The International Electrotechnical Commission 「IEC」)は、電気、電子工学技術関連分野の国際規格の策定および普及を行う国際機関で、IEC60825-1は、レーザ製品の安全性を規定するIEC規格です。レーザ製品のクラス分けは下記の通りです

Class	Description	Warning Label
1	ビーム内観察用の光学機器の使用を含む、通常の条件下での使用において、安全とみなされているクラス。このクラスのレーザ製品は、通常の使用範囲内では、人体被害を及ぼすエネルギーレベルのレーザを発光することがないので、最大許容露光量(MPE)を超えることはありません。このクラス1のレーザ製品には、筐体等を開かない限り、作業者がレーザに露光することがないような、完全に囲われた高出力レーザも含まれます。
1M	クラス1Mのレーザは、安全であるが、望遠鏡や顕微鏡と併用した場合は危険な製品になり得ます。この分類に入る製品からのレーザ光は、直径の大きな光や拡散光を発光し、ビーム径を小さくするために光を集束する光学素子やイメージング用の光学素子を使わない限り、通常はMPEを超えることはありません。しかし、光を再び集光した場合は被害が増大する可能性があるので、このクラスの製品であっても、別の分類となる場合があります。
2	クラス2のレーザ製品は、その出力が最大1 mWの可視域での連続放射光に限定されます。瞬目反射によって露光が0.25秒までに制限されるので、安全と判断されるクラスです。このクラスの光は、可視域(400～700 nm)に限定されます。
2M	このクラスのレーザ製品のビーム光は、瞬目反射があるので、光学機器を通して見ない限り安全であると分類されています。このクラスは、レーザ光の半径が大きい場合や拡散光にも適用されます。
3R	クラス3Rのレーザ製品は、直接および鏡面反射の観察条件下で危険な可視光および不可視光を発生します。特にレンズ等の光学機器を使用しているときにビームを直接見ると、目が損傷を受ける可能性があります。ビーム内観察が行われなければ、このクラスのレーザ製品は安全とみなされます。このクラスでは、MPE値を超える場合がありますが、被害のリスクレベルが低いクラスです。可視域の連続光のレーザの出力パワーは、このレベルでは5 mWまでとされています。
3B	クラス3Bのレーザは、直接ビームを見た場合に危険なクラスです。拡散反射は通常は有害になることはありませんが、高出力のクラス3Bレーザを使用した場合、有害となる場合もあります。このクラスで装置を安全に操作するには、ビームを直接見る可能性のあるときにレーザ保護眼鏡を装着してください。このクラスのレーザ機器にはキースイッチと安全保護装置を設け、さらにレーザ安全表示を使用し、安全照明がONにならない限りレーザがONにならないようにすることが求められます。Class 3Bの上限に近いパワーを出力するレーザ製品は、やけどを引き起こすおそれもあります。
4	このクラスのレーザは、皮膚と目の両方に損傷を与える場合があり、これは拡散反射光でも起こりうるとみなされています。このような被害は、ビームが間接的に当たった場合や非鏡面反射でも起こることがあり、艶消し面での反射でも発生することがあります。このレベルのレーザ機器は細心の注意を持って扱われる必要があります。さらに、可燃性の材質を発火させることもあるので、火災のリスクもあるレーザであるとみなされています。クラス4のレーザには、キースイッチと安全保護装置が必要です。
全てのクラス2以上のレーザ機器には、上記が規定する標識以外に、この三角の警告標識が表示されていなければいけません。

Posted Comments:

Zenaida Preston (posted 2024-02-08 22:18:50.17)

Wow, fantastic blog format! How lengthy have you been blogging for? you make running a blog glance easy. The full look of your site is fantastic, as well as the content material! You can see similar: Funero.shop and here Funero.shop

dpossin (posted 2024-02-09 04:53:11.0)

Dear Zenaida, Thank you very much for you positive feedback. We really appreciate that.

Robert Zawadzki (posted 2023-11-30 16:02:52.167)

Dear Sirs, I am interested in purchasing Thorlabs VCSEL 1050nm, Multimode, and MZI CWL: 1050 nm Sweep rate: 400 x 1, 200 x 2(400), 400x2 (800) kHz MZI (air): 12, 24, 12 mm High Power Could you please send me the information about the pricing and options? Best Robert

Yangxi Li (posted 2023-10-13 12:30:31.06)

Since I need to model the sensitivity roll off of the OCT system, I need to know the instantaneous linewidth of the swept source SL131090. Where can I query this parameter? Or how to calibrate it

fmortaheb (posted 2023-10-17 06:29:34.0)

Thank you very much for contacting Thorlabs. In fact, the roll-off can be neglected for our swept source MEMS VCSEL lasers. The instantaneous linewidth is in the order of ~0.5 - 1.0 MHz corresponding to an estimated coherence length of 225m in air as shown within the following publication: https://opg.optica.org/jlt/abstract.cfm?uri=jlt-33-16-3461

JUNG DAHUN (posted 2023-03-09 18:50:00.627)

Dear thorlabs I am writing to inquire about direction of laser swept of SL132121 We have a SL132121 laser, but we don't know the direction of the laser's sweep. Is it swept from the short wavelength to the long wavelength? Thank you for your time and assistance. I look forward to hearing back from you soon. Best regards, Dahun Jung

user (posted 2023-03-01 11:43:21.173)

Hi, I'm interested in this laser source, but I'm wondering if the short-wavelength cutoff could be pushed down to shorter wavelengths by a little bit with a little customization. Would it be possible to order a version capable of tuning from, for example, 1210 nm to 1300 nm? The long-wavelength cutoff only needs to be around 1280 nm for my application - it's more important to have short-wavelength reach for me. Let me know if this might be possible. Thanks Jeff

SHUNAN CHEN (posted 2022-06-15 11:21:09.337)

Can I apply for a trail version of model.SL130161 or SL130160, I want to do some experiment to prove the light source is suitable for the experiment. Looking forward to your reply.

wskopalik (posted 2022-06-16 04:24:40.0)

Thank you for your interest in our products. We will contact you directly to learn more about your needs to select the right configuration.

Tomasz Kardaś (posted 2020-10-07 10:41:15.827)

Dear Sir or Madame, We are looking for a source for Optical Frequency Domain Reflectometry near 1030 nm. Your sources seem perfect, however, they are much to fast for this technique. We look for something with 1 - 100 Hz sweep rate. Can you recommend any solution?

nreusch (posted 2020-10-09 06:14:39.0)

Thank you for your feedback. We will contact you directly to discuss your application and possible solutions.

nyonuimon (posted 2018-09-04 18:57:59.367)

Hello, This is Yeon Hee Chang I am researcher of DGIST, South Korea. I am very interested in the laser source, SL132120 - MEMS-VCSEL Swept Source, 1300 nm, 200 kHz. I want to get a formal quotation of this product. Is it available? Please send the quotation to my e-mail. Thank you :) Best regards From Yeon Hee Chang

llamb (posted 2018-09-05 08:17:04.0)

Hello Yeon. For a formal quote or other questions on our MEMS-VCSEL Swept-Wavelength Laser Source, you may email OCT@thorlabs.com. We will have a representative reach out to you by email in this case.

thomas.juhasz (posted 2018-09-03 14:29:07.34)

Hello, I have a very basic question for the MEMS-VCSEL Swept-Wavelength Laser Source: has the source a static mode, where the wavelength is kept constant, or is the wavelength swept continuously? If there is a static mode, what is the wavelength accuracy and spectral linewidth for different wavelengths within the tuning range? Additionally, the output power range from min 20 to max 50mW seems rahther large. Is a preselection with respect to the output power possible? Thanks and best regards Thomas

YLohia (posted 2018-09-24 11:00:16.0)

Hello Thomas, thank you for contacting Thorlabs. The wavelength will be swept continuously for the entire range -- unfortunately, there is no static mode and there is no preselection with respect to output power. Our OCT team (oct@thorlabs.com) will reach out to you directly to discuss your application in greater detail.

1060 nm MEMS-VCSEL光源、固定モード

ズーム

ベンチトップ型波長掃引光源、中心波長1060 nm
トリガ信号およびデジタルkクロック信号出力用SMA端子
掃引速度：60～400 kHz(固定)
差分フォトディテクタ(オプション)
カスタム構成も承ります(詳細は当社までお問い合わせください)。

Item #	Sweep Rate	Duty Cycle^a	MZI Delay	k-Clock Max Frequency (Typical)	OCT Imaging Depth Range^b	Balanced Detector^c
SL100060	60 kHz	> 60%	48 mm	500 MHz	12 mm	None
SL100061	60 kHz	> 60%	48 mm	500 MHz	12 mm	PDB471C-AC
SL101080	100 kHz	> 60%	24 mm	500 MHz	6 mm	None
SL101081	100 kHz	> 60%	24 mm	500 MHz	6 mm	PDB471C-AC
SL101060	100 kHz	> 60%	48 mm	900 MHz	12 mm	None
SL101061	100 kHz	> 60%	48 mm	900 MHz	12 mm	PDB481C-AC
SL102080	200 kHz	> 50%	24 mm	900 MHz	6 mm	None
SL102081	200 kHz	> 50%	24 mm	900 MHz	6 mm	PDB481C-AC
SL104070	400 kHz	>50%	8 mm	900 MHz	2 mm	None
SL104071	400 kHz	>50%	8 mm	900 MHz	2 mm	PDB481C-AC

1方向掃引のデューティーサイクル
MEMS-VCSELのkクロックを用いたOCTシステムの仕様値
型番末尾が1の製品には差分ディテクタが内蔵されています。使用方法については上の「製品詳細」タブをご覧ください。

+1 数量資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日

SL100060 1060 nm MEMS-VCSEL Source, 60 kHz Sweep Rate, 48 mm MZI Delay

￥4,892,055

Lead Time

SL100061 1060 nm MEMS-VCSEL Source, 60 kHz Sweep Rate, 48 mm MZI Delay, Balanced Detection

￥5,189,761

Lead Time

SL101080 1060 nm MEMS-VCSEL Source, 100 kHz Sweep Rate, 24 mm MZI Delay

￥4,892,055

Lead Time

SL101081 1060 nm MEMS-VCSEL Source, 100 kHz Sweep Rate, 24 mm MZI Delay, Balanced Detection

￥5,189,761

Lead Time

SL101060 1060 nm MEMS-VCSEL Source, 100 kHz Sweep Rate, 48 mm MZI Delay

￥4,892,055

7-10 Days

SL101061 1060 nm MEMS-VCSEL Source, 100 kHz Sweep Rate, 48 mm MZI Delay, Balanced Detection

￥5,189,761

Lead Time

SL102080 1060 nm MEMS-VCSEL Source, 200 kHz Sweep Rate, 24 mm MZI Delay

￥4,892,055

Lead Time

SL102081 1060 nm MEMS-VCSEL Source, 200 kHz Sweep Rate, 24 mm MZI Delay, Balanced Detection

￥5,189,761

Lead Time

SL104070 1060 nm MEMS-VCSEL Source, 400 kHz Sweep Rate, 8 mm MZI Delay

￥4,892,055

Lead Time

SL104071 1060 nm MEMS-VCSEL Source, 400 kHz Sweep Rate, 8 mm MZI Delay, Balanced Detection

￥5,189,761

Lead Time

1060 nm MEMS-VCSEL光源、選択可能な3種類のモード

ズーム

ベンチトップ型波長掃引光源、中心波長1060 nm
掃引速度、波長掃引範囲、マッハツェンダ干渉計(MZI)遅延量が予め設定された3種類のモードから選択可能
トリガ、アナログkクロック、デジタルkクロック信号出力用SMA端子
k-Clockデータ収集とDual-Channelデータ収集に最適化された2種類のモデルをご用意
差分ディテクタ内蔵
カスタム構成も承ります(詳細は当社までお問い合わせください)。

Item #		Sweep Rate	Duty Cycle^a	MZI Delay	k-Clock Max Frequency (Typical)	OCT Imaging Depth Range^b,c	Recommended Data Acquisition	Balanced Detector
SLZ1001	Mode 1	50 kHz	> 60%	152 mm	<1 GHz	38.0 mm	k-Clocking	PDB481C-AC
	Mode 2	100 kHz	> 60%	56 mm		14.0 mm
	Mode 3	400 kHz	> 50%	11.7 mm		2.9 mm
SLZ1002	Mode 1	100 kHz	> 60%	28 mm	<500 MHz	38 mm	Dual Channel
	Mode 2	400 kHz	> 50%	5.5 mm		5.9 mm
	Mode 3	1 MHz	> 40%	4 mm		4.0 mm

1方向掃引のデューティーサイクル
型番SLZ1001: MEMS-VCSELデジタルkクロックを使用して1GS/sでデータ収集したときのOCTシステムの概略仕様
型番SLZ1002: MEMS-VCSELアナログkクロックを使用して2GS/sでデータ収集したときのOCTシステムの概略仕様

1300 nm MEMS-VCSEL光源、固定モード

ズーム

ベンチトップ型波長掃引光源、中心波長1300 nm
トリガ信号およびデジタルkクロック信号出力用SMA端子
掃引速度：50～400 kHz(固定)
差分フォトディテクタ(オプション)
カスタム構成も承ります(詳細は当社までお問い合わせください)。

Item #	Sweep Rate	Duty Cycle^a	MZI Delay	k-Clock Max Frequency (Typical)	OCT Imaging Depth Range^b	Balanced Detector^c
SL130160	50 kHz	> 60%	72 mm	500 MHz	18 mm	None
SL130161	50 kHz	> 60%	72 mm	500 MHz	18 mm	PDB470C-AC
SL131090	100 kHz	> 60%	44 mm	500 MHz	11 mm	None
SL131091	100 kHz	> 60%	44 mm	500 MHz	11 mm	PDB470C-AC
SL131160	100 kHz	> 60%	72 mm	900 MHz	18 mm	None
SL131161	100 kHz	> 60%	72 mm	900 MHz	18 mm	PDB480C-AC
SL132120	200 kHz	> 50%	32 mm	900 MHz	8 mm	None
SL132121	200 kHz	> 50%	32 mm	900 MHz	8 mm	PDB480C-AC
SL134050	400 kHz	> 50%	12 mm	900 MHz	3 mm	None
SL134051	400 kHz	> 50%	12 mm	900 MHz	3 mm	PDB480C-AC

1方向掃引のデューティーサイクル
MEMS-VCSELのkクロックを用いたOCTシステムの仕様値
型番末尾が1の製品には差分ディテクタが内蔵されています。使用方法については上の「製品詳細」タブをご覧ください。

+1 数量資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日

SL130160 1300 nm MEMS-VCSEL Source, 50 kHz Sweep Rate, 72 mm MZI Delay

￥4,892,055

Lead Time

SL130161 1300 nm MEMS-VCSEL Source, 50 kHz Sweep Rate, 72 mm MZI Delay, Balanced Detection

￥5,189,761

Lead Time

SL131090 1300 nm MEMS-VCSEL Source, 100 kHz Sweep Rate, 44 mm MZI Delay

￥4,892,055

Lead Time

SL131091 1300 nm MEMS-VCSEL Source, 100 kHz Sweep Rate, 44 mm MZI Delay, Balanced Detection

￥5,189,761

Lead Time

SL131160 1300 nm MEMS-VCSEL Source, 100 kHz Sweep Rate, 72 mm MZI Delay

￥4,892,055

Lead Time

SL131161 1300 nm MEMS-VCSEL Source, 100 kHz Sweep Rate, 72 mm MZI Delay, Balanced Detection

￥5,189,761

Lead Time

SL132120 1300 nm MEMS-VCSEL Source, 200 kHz Sweep Rate, 32 mm MZI Delay

￥4,892,055

7-10 Days

SL132121 1300 nm MEMS-VCSEL Source, 200 kHz Sweep Rate, 32 mm MZI Delay, Balanced Detection

￥5,189,761

Lead Time

SL134050 1300 nm MEMS-VCSEL Source, 400 kHz Sweep Rate, 12 mm MZI Delay

￥4,892,055

Lead Time

SL134051 1300 nm MEMS-VCSEL Source, 400 kHz Sweep Rate, 12 mm MZI Delay, Balanced Detection

￥5,189,761

Lead Time

1300 nm MEMS-VCSEL光源、選択可能な3種類のモード

ズーム

ベンチトップ型波長掃引光源、中心波長1300 nm
掃引速度、波長掃引範囲、マッハツェンダ干渉計(MZI)遅延量が予め設定された3種類のモードから選択可能
トリガ、アナログkクロック、デジタルkクロック信号出力用SMA端子
k-Clockデータ収集とDual-Channelデータ収集に最適化された2種類のモデルをご用意
差分ディテクタ内蔵
カスタム構成も承ります(詳細は当社までお問い合わせください)。

Item #		Sweep Rate	Duty Cycle^a	MZI Delay	k-Clock Max Frequency (Typical)	OCT Imaging Depth Range^b,c	Recommended Data Acquisition	Balanced Detector
SLZ1301	Mode 1	50 kHz	>60%	169 mm	<1 GHz	42.3 mm	k-Clocking	PDB480C-AC
	Mode 2	200 kHz	>60%	42 mm		10.5 mm
	Mode 3	400 kHz	>50%	17.5 mm		4.4 mm
SLZ1302	Mode 1	100 kHz	>60%	42 mm	<500 MHz	42.3 mm	Dual Channel
	Mode 2	400 kHz	>50%	8.5 mm		8.8 mm
	Mode 3	1 MHz	>40%	6 mm		6.0 mm

1方向掃引のデューティーサイクル
型番SLZ1301: MEMS-VCSELデジタルkクロックを使用して1GS/sでデータ収集したときのOCTシステムの概略仕様
型番SLZ1302: MEMS-VCSELアナログkクロックを使用して2GS/sでデータ収集したときのOCTシステムの概略仕様