光ファイバー入出力型E/O変換機、校正済み


  • Integrated Laser, Modulator, and Automatic Bias Control
  • Traceable Calibrated Response from DC to 40 GHz, 70 GHz, or 110 GHz
  • Optical Accessory for Electrical Vector Network Analyzer (VNA)
  • Single-Laser and Dual-Laser Models

An E-O converter provides optical test capability for
an all-electrical vector network analyzer (VNA).

MX110G E-O Converter with Industry Leading Bandwidth of 110 GHz

Related Items


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E-O Converter Selection Guide
Item #SpeedaInternal
Laser Type		Internal Laser
Wavelength		Internal
Modulator
(Type)
MX40G-85040 GHzFixed Wavelength852 nmIntensity
MX40G-131040 GHzFixed Wavelength1310 nm
MX40G40 GHzC-Band, Tunableb1527.6 - 1565.5 nm
MX40G-LB40 GHzL-Band, Tunableb1570.0 - 1608.8 nm
MX70G-131070 GHzFixed Wavelength1310 nm
MX70G70 GHzC-Band, Tunableb1527.6 - 1565.5 nm
MX70G-LB70 GHzL-Band, Tunableb1570.0 - 1608.8 nm
MX70G-DB170 GHzFixed Wavelength1310 nm
C-Band, Tunableb1527.6 - 1565.5 nm
MX110G-1310110 GHzFixed Wavelength1310 nm
MX110G110 GHzC-Band, Tunableb1527.6 - 1565.5 nm
  • 最大のアナログ帯域幅
  • ITU 50 GHzグリッドでのチューニングが可能

特注や量産、製品組み込み用途(OEM用途)

デモ機のお貸出しのご相談も承ります。

お気軽に当社までお問い合わせください。

Contact Us

MX40G E-O Converter: De-Embedding Procedures

特長

  • 110 GHzまでの帯域幅に対応
  • O/Eデバイスの高周波特性測定システムで利用可能
  • タッチパネルによる制御や、USBまたはRS-232接続による遠隔制御が可能
  • マッハツェンダ強度変調器と、手動ならびに自動のバイアスコントローラ内蔵
  • 可変光減衰器(VOA)による自動または手動出力制御
  • S21ディエンベディングパラメータが付属(*.s2pファイル)
  • 固定波長レーザまたは波長可変レーザ内蔵
  • お手持ちの外部レーザにも対応(MX40G-850を除く)
  • カスタム構成も承ります。当社までご連絡ください。

当社の校正済み(E/O)変換機は、電気信号を入力することにより光信号を生成します。E/O変換機の主要用途の1つは、ベクトルネットワークアナライザを用いたO/Eデバイスの評価システムでの使用です。校正済みのE/O変換機はE/Eベクトルネットワークアナライザ(VNA)とともに使用すると、光学デバイスのテストが可能になります(ページ上部の図参照)。 E/O変換機MX110Gシリーズについては110 GHzまでの帯域幅に対応しています。各変換機には、駆動周波数範囲全体に対応するS21データが*.s2pファイルとして付属しています。このデータは単純に応答の大きさを修正する場合や、ベクトルネットワークアナライザシステム応答からテストを行っているO/Eデバイスの応答をディエンベディングする場合にご使用いただけます。ディエンベディングの方法についての詳細はアプリケーションノートをご参照ください。

変換機は、全自動のバイアスコントローラによって安定化されたLN(ニオブ酸リチウム、LiNbO3)変調器や、波長可変または固定波長レーザ光源などの通信グレードの部品で構成されています。可変光減衰器(VOA)とパワーモニタを利用して、出力パワーの全自動制御と安定化を実現します。変換機の主要な構成要素は下の図に記載しています。

E/O変換機は、ITU 50 GHzグリッドでチューニング可能なCバンドまたはLバンドレーザ、あるいは固定波長レーザを内蔵しています。詳細は右の表または「仕様」タブをご覧ください。 波長可変レーザはどちらも周波数オフセットの機能により1 MHz毎に±30 GHzの微調整チューニングが可能で、波長を安定化させるディザ機能が付いています。

入力には外部レーザ光源もお使いいただけます。各変換機が対応する波長範囲と最大入力パワーについては「仕様」タブをご覧ください。レーザ入力ポートは、偏波保持PANDAファイバを使用し、スロー軸(コネクタ－キーにアライメント)に合わせた直線偏光を入射します。なお、出力部にはシングルモードファイバが使用されています。ファイバ端はFC/PCコネクタです。仕様の詳細については「仕様」タブをご覧ください。

各変換器のModulator RF Inポートは、帯域幅と高周波数応答性に対応した同軸コネクタのサイズに適合します(詳細については「仕様」タブをご覧ください)。 このような高周波領域では、ケーブル長が性能に影響を及ぼします。できるだけケーブル長は短くすることが必要となります。また、同軸コネクタに接続する際に使用するトルクレンチも正しいプリセットトルク値でご使用ください。当社ではこのコネクタに対応するマイクロ波ケーブルとアダプタをご用意しています(こちらからご覧いただけます)。

変換機の制御方法は2通りあります。最もシンプルな方法はタッチパネルの使用で、機器のすべての機能が制御可能です。また、これらの機器は背面パネルにあるRS-232またはUSBポートを介して遠隔制御も可能です。「動作」タブでは、グラフィカルユーザーインターフェイス(GUI)ならびにカスタマイズ可能な機能について説明しています。また、遠隔制御の利用ガイドと、ダウンロード可能な遠隔操作用ソフトウェアツール(「ソフトウェア」タブ参照)もご提供しています。

当社では豊富な種類のトランスミッタをご用意しております。すべてのラインナップについては「セレクションガイド」タブをご覧ください。

E-O Converter Block Diagram
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EO変換機の内部構造図(MX70G-DB1以外)
E-O Converter Block Diagram
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デュアルバンドEO変換器MX70G-DB1の内部構造図
General System Specifications
Item #MX40G-850MX40G
MX40G-LB
MX40G-1310		MX70G
MX70G-LB
MX70G-1310
MX70G-DB1		MX110G-1310MX110G
Frequency Responsea
(Click for Plot)		DC - 40 GHzDC - 40 GHzDC - 70 GHzDC - 110 GHz
Uncertainty of Supplied
Magnitude Responsea		40 MHz to 20 GHz:
±1.20 dB
20 GHz to 40 GHz:
±2.30 dB		40 MHz to 40 GHz:
±0.85 dB		40 MHz to 40 GHz: ±0.85 dB
40 GHz to 70 GHz: ±1.75 dB		40 MHz to 70 GHz: ±1.48 dB
70 GHz to 110 GHz: ±1.78 dB
Input RF Connector Type2.92 mm Connectorb1.85 mm Connectorc1.0 mm Connectord
Optical Output Powere
(Biased for Peak Optical Output)		4.5 dBmMX70G-DB1: 7.5 dBm at 1550 nm, 5.5 dBm at 1310 nm;
All Others: 8.5 dBm at 1550 nm, 6.5 dBm at 1310 nm		6 dBm
Internal Laser(See Table Below)
External
Laserf		Wavelength RangegN/A1250 nm - 1610 nm1260 nm - 1360 nm1525 nm - 1575 nm
Optical Input PowerN/A20 dBm (Max); 22 dBm (Absolute Max)17 dBm (Max); 20 dBm (Absolute Max)
Power Calibration Points850 nm1310 nm, 1550 nm, and 1590 nm1310 nm1550 nm
RF Optical Extinction Ratio13 dB (Typical Max)--
DC Optical Extinction Ratio-15 dB (Typical)20 dB (Typical)
Modulator Drive Voltage (Vπ)4.8 Vpp at 1 GHz5.5 Vpp at 1 GHz2.5 Vpp at 1 MHz;
2.8 Vpp at 2 GHz		3.3 Vpp at 1 MHz;
3.7  Vpp at 2 GHz
Optical Insertion Loss (Typical)h5.5 dB5.0 dB (1550 nm);
7.0 dB (1310 nm)		11 dB
Absolute Stabilityi0.2 dB (Dither Mode)j0.20 dB (Dither Mode);
0.25 dB (Ratio Mode)k		0.40 dB (Ratio Mode)k0.20 dB (Ratio Mode)k
Relative Stabilityl0.2 dB (Dither Mode)j0.2 dB (Dither Mode);
0.2 dB (Ratio Mode)k		0.20 dB (Ratio Mode)k
Internal Optical FiberSM Port: 780HPPM Ports: PM1310-XP;
SM Port: SMF-28
Fiber ConnectorsFC/PC, 2.0 mm Narrow Key
  • 周波数応答の測定値(規程の周波数毎)。各ユニットに付属のUSBメモリ内にある*.s2pファイルでご提供しています。
  • 2.92 mmコネクタは、Kコネクタに直接接続可能です。SMAまたは3.5 mmコネクタにも接続できますが、性能は低下します。
  • 1.85 mmコネクタは、Vコネクタに直接接続可能です。2.4 mmコネクタにも接続できますが、性能は低下します。
  • 1.0 mmコネクタは、Wコネクタに直接接続可能です。
  • バイアスをQuadrature Pointに設定した場合、挿入損失は通常3 dB高くなります。
  • 付属しておりません。
  • 他の波長(可視光など)で変調器を使用する場合、挿入損失の恒久的な増加を引き起こす可能性があり、保証の対象外となります。
  • Laser INからOptical OUTまでの損失
  • 全周波数ポイントにおける変調振幅の安定性(MX110Gシリーズでは40 MHz～70 GHzの範囲)
  • 温度範囲5 °C、4時間(15分のウォームアップ後)、Quadratureでバイアス
  • 温度範囲3 °C、4時間(15分のウォームアップ後)、Quadratureでバイアス
  • 周波数ポイント間における変調振幅の安定性(応答形状)(MX110Gシリーズでは40 MHz～70 GHzの範囲)
Power Monitor and VOAa Specifications
Power Monitor Accuracyb±0.5 dBm
Power Monitor Resolution0.01 dBm
Power Monitor Insertion Loss0.1 dB (Typical per Monitor)
VOA Attenuation Range1 dB - 20 dB
VOA Response Time1 s
  • 可変光減衰器(VOA)
  • パワー校正波長において
Power and Environmental Specifications
Main AC Voltage100 VAC - 250 VAC
Power Consumption60 VA
Line Frequency50 Hz - 60 Hz
Operating Temperature10 to 40 °C
Storage Temperature0 to 50 °C
Relative Humiditya5% to 85%
  • 結露無しの環境
C-Band Laser Frequency Noise Spectrum
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内蔵のCバンドおよびLバンド波長可変レーザの周波数ノイズスペクトル。ディザ機能により波長は安定しますが、ノイズは大きくなります。
Internal Laser Specificationsa
Item #MX40G-850MX40G-1310
MX70G-1310		MX40G
MX70G		MX40G-LB
MX70G-LB		MX70G-DB1MX110G-1310MX110G
Laser TypeFixed WavelengthFixed WavelengthC-Band Tunable WavelengthL-Band Tunable WavelengthFixed WavelengthC-Band Tunable WavelengthFixed WavelengthC-Band Tunable Wavelength
Wavelength852 nm 1310 nm 1527.6 - 1565.5 nm1570.0 - 1608.8 nm1310 nm 1527.6 - 1565.5 nm1310 nm 1527.6 - 1565.5 nm
Frequency Range-191.50 - 196.25 THz186.35 - 190.95 THz-191.50 - 196.25 THz-191.50 - 196.25 THz
Optical Output Power10 dBm13.5 dBm13.5 dBm12.5 dBm12.5 dBm17 dBm
Frequency Accuracy-±1.5 GHz-±1.5 GHz-±1.5 GHz
Tuning ResolutionN/A50 GHzN/A50 GHzN/A50 GHz
Fine Tuning ResolutionN/A1 MHzN/A1 MHzN/A1 MHz
Tuning Speed (Between Wavelengths)N/A10 sN/A10 sN/A10 s
Fine Tuning RangeN/A±30 GHzN/A±30 GHzN/A±30 GHz
Side Mode Suppression Ratio35 dB (Min)55 dB35 dB (Min)55 dB45 dB 55 dB 
Optical Signal to Noise Ratio-60 dB-60 dB-60 dB
Intrinsic Linewidth2 MHz10 kHz2 MHz10 kHz10 MHz (Max)10 kHz
Relative Intensity Noiseb--145 dB/Hz (Max)--145 dB/Hz (Max)--145 dB/Hz (Max)
Back Reflection--14 dB (Max)--14 dB (Max)--14 dB (Max)
Polarization Extinction Ratio20 dB18 dB (Min)20 dB18 dB (Min)20 dB18 dB (Min)
  • 特に記載がない限り、値は典型値です。
  • 光パワーの平均値で規格化されたノイズ

システムの概要

E/O変換機にはレーザ光源と、LN変調器(自動バイアスコントローラ付き)が内蔵されています。必要な外部入力はただ1つ、Modulator RF Inポートへの信号源のみです。Laser Inポートには内部レーザまたは外部レーザ光源のどちらでも接続可能です(下図の左下をご参照ください)。こちらのポートには偏波保持ファイバを接続し、機器の前面パネルで提示されているスロー軸に合わせて直線偏光を入力します。なお、MX40G-850にはこちらのループバック接続はありません。光パワーは3か所(Monitor 1、Monitor 2、Monitor 3)でモニタされ、バイアス制御ならびに出力制御を行います。このパワー値は背面パネルのI/Oポートでも得られます。Monitor 1はレーザ入力部、Monitor 2は変調器出力部、Monitor 3は最終的な光出力部にあります。

E-O Converter Block Diagram
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EO変換機の内部構造図(MX70G-DB1以外)
E-O Converter Block Diagram
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デュアルバンドEO変換機MX70G-DB1の内部構造図

ディエンベディングの方法

E-E System with MX40G and O-E DUT
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図2:VNAによって測定されたシステムの応答は、E/O変換機とO-E DUTの応答の組み合わせです。青い線は電気接続、赤い線は光接続を示しています。　
E-E System with O-E DUT Only
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図1: VNAによって測定されたシステムの応答は、DUTの応答です。青い線は電気接続を示しています。

電気-光(E-O)変換機の主要な用途のひとつは、ベクトルネットワークアナライザ(VNA)のような電気-電気(E-E)テスト装置に光-電気(O-E)機器の計測機能を持たせることです。電気試験装置を対象システムに接続して試験を行います(図1参照)。図2のように、デバイスはVNAのポート1からの電気信号をE/O変換器に入力します。変換された光信号を試験対象のO-E装置(DUT)に入力させて、DUTからの電気信号はVNAのポート2に向かいます。システム全体の応答(E/O変換機とO-E DUTの応答)が測定されます。O-E DUTの応答を正確に検出するには、測定されたシステム全体の応答からE/O変換機の応答を除去する必要があります。これがディエンベディングです。　

各校正済みE/O変換機にはパラメータファイル(*.s2p format)が付属します。ファイルには、駆動周波数範囲全体に対応した変調器のS21データが含まれています。ディエンベディングのプロセスを実行する際にこれらのデータを使用します。最新のVNAシステムには、お手持ちの*.s2pをベースとしてこのタイプのディエンベディングを実施できる機能が内蔵されています。これが最も簡単な方法です。ただし、このディエンベディングのプロセスは手動でも実施できます。この方法についての詳細は、アプリケーションノートに記載されています。

E/O変換機の典型的な周波数応答グラフは「仕様」タブでご覧いただけます。

機器制御

すべての機能はグラフィカルユーザーインターフェイス(GUI)で制御可能です。各E/O変換機は、指で押してもプラスチックスタイラスペンでタップしても反応する抵抗膜方式のタッチパネルディスプレイを採用しています。スクリーン上の矢印ボタンの代わりに本体の前面パネルに付いているノブを回して、設定値を素早く変更することもできます。その場合、ノブを(カチッというまで)押すことにより新しい設定値が確定します。また機器は背面パネルのコネクタを介して送られるシリアルコマンドでも駆動可能です。この操作方法は、Remote Control User Guideをご参照ください。また、変換機のリモート制御を示したWindowsプログラムは「ソフトウェア」タブからダウンロード可能です。

E-O Converter Main Menu
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図3:E/O変換機のホーム画面

図3に示されているE/O変換機のホーム画面は3つのメインセクションに分かれています。中央各欄の右上に表示される緑の点は、機能が安定していることを示します。この点は、まだ十分に安定化されていない段階では点滅します。

  • 左欄
    • ボタンが各機能のオンオフ状態を示しています。
    • オンオフの切り替えはボタンをタップしてください。
  • 中央欄
    • 各制御機能の現在の動作パラメータを示しています。
    • この欄をタップすると各機能の設定ページが表示されます。
  • 右欄
    • 様々なユーティリティやヘルプ機能にアクセスするボタンです。
    • 現システム設定を見たり、カスタマイズする場合にタップしてください。

GUIで設定可能な機能や制御値は下記で詳しく説明しています。

レーザの設定

Dual Band E-O Converter Laser Settings Screen
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図5:チューナブルレーザの設定画面(MX70G-DB1)
E-O Converter Laser Settings Screen
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図4:チューナブルレーザの設定画面(MX70G-DB1以外)

注:下記の説明は、MX40G-850、MX40G-1310、MX70G-1310、MX110G-1310は当てはまりません(固定波長レーザのみ内蔵で波長可変設定がないため)。

図4と5のレーザの設定画面はホーム画面から直接アクセスできます。シングルバンドの各機器には、ITU 50 GHzグリッド上で調整が可能なCバンドまたはLバンドでの通信用途のレーザが内蔵されています。デュアルバンドの機器MX70G-DB1には調整が可能なCバンドまたはLバンド通信向けレーザと、1310 nm固定波長レーザが内蔵されています。図5に示すとおり、レーザ光源は画面の右端で選択が可能です。

CバンドとLバンドレーザは微調整チューニング用周波数オフセット機能もサポートしており、周波数を1 MHz単位、-30 GHz～+30 GHzの範囲で微調整可能です。ITUチャネル波長が目盛として使用されています。矢印ボタンでご希望の波長を選択してください。

こちらの画面では、波長の安定化のためのディザ機能(CまたはLバンドレーザのみ)使用の有無も選択できます。ディザ機能をオフにすると位相ノイズと強度ノイズが低減します(「仕様」タブで代表的なグラフがご覧いただけます)。ただし、オフにすることにより時間とともに波長が若干ドリフトする可能性があります。外部レーザを使用する場合、ホーム画面のLASERボタンをタップして内蔵のレーザをオフにします。

システムの波長設定

E-O Converter System Wavelength Screen
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図6:システムの波長選択画面

注:下記の説明は、MX40G-850、MX110G、MX110G-1310は当てはまりません(MX40G-850については校正波長が850 nmのみで、かつ外部レーザ入力がないためであり、MX110GとMX110G-1310については、校正波長が1550 nmと1310 nmの1波長であるため)。

外部レーザを使用する場合、パワーモニタの校正値の変更が必要となる可能性があります。MX40GとMX70Gシリーズは1250 nm～1610 nmの波長範囲で使用可能ですが、校正値は1310 nm、1550 nm、1590 nmの3つの波長でご用意しております。これらの3つの波長はOバンド、Cバンド、Lバンドの中心波長です。デフォルトの校正範囲は内部レーザの波長範囲に相当します。この波長範囲外で動作させる場合、ホーム画面のMENUボタンをタップしてパワーモニタの校正値を変更してください。図6で示される「System Wavelength」を選択し、使用しているレーザ光源に1番近い波長にパワーモニタの校正波長を設定します。

変調器バイアスコントローラ

E-O Converter LiNbO3 Intensity Modulator Bias Control
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図8:バイアス設定画面
E-O Converter LiNbO3 EO Modulator Bias Transmisstion Function
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図7:強度変調器のバイアスポイント。Vπは半波長電圧

バイアスコントローラのモードは4つあり、全自動動作または手動動作があります。4つの内Peak、Quadrature、Nullの3つの自動動作モード領域は、図7の変調伝達関数グラフを参照してください。これらのモードの1つが選択されると、変調器がそれぞれのバイアス設定値を維持するため、ディザトーンが使用されます。ディザトーンは、温度変動に敏感な変調器で経時的に起こるドリフトを補償することにより、安定したバイアス設定値を維持するロックインアプローチの一部です。ディザトーンは1～10 kHzの周波数の間で設定でき、トーンの振幅も選択できます。Quadratureモードでは正または負の勾配のどちらでも動作が可能です。

注: MX110GシリーズのQuadratureバイアスモードでは、ディザ機能はなく、下記のConstant Ratioモードと同様に動作します。ただし設定値は校正ルーティンにおいて計算されて、調整可能ではありません。

ディザレスで、かつ自動でバイアス値の維持が必要な用途には、Constant Ratio(比率一定)モードを使用できます。図8にある画面右のMAN機能をタップし、比率と勾配値を設定することにより有効になります。こちらのモードではMonitor 1とMonitor 2の強度値の比率が設定値で維持されるようバイアス電圧を調整します。Slope設定では変調器の電圧増加による光出力の増加または減少の選択ができます。

一定バイアスで、ディザトーンなしに短時間動作させる場合に便利です。固定バイアス電圧を適用する方法は2つあります。Quadrature、Peak、Nullのいずれかのモードで動作させる場合、Ditherの値をタップすることでオンとオフが切り替えできます。ディザがオフの場合、固定バイアス電圧は自動バイアス電圧時の直近の電圧値で維持されます。これにより、ディザトーンなしで、素早く測定することが可能です。その際、変調器は一般的な変調器伝達関数の設定値でバイアスされています。Constant Biasモードは、Mode部分をタップし、続けて画面右のMAN機能ボタンをタップすることによりアクセスできます。このページでは自動のConstant Ratioまたは固定電圧のConstant Biasモードを有効にし、設定します。

可変光減衰器(VOA)

E-O Converter Variable Optical Attenuator Settings Screen
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図9:VOA設定画面

VOAは変調後の光出力を調整、安定化させる手段です。図9で示しているVOA設定画面では2つの動作モードがあり、どちらかを選択し、パラメータを調整します。Constant Attenuation(減衰量一定)モードでは、変調器の出力と光が出力されるポート間の光減衰量が固定され、VOAの入力部でのパワー変動がそのまま出力に反映されます。Constant Output Power(出力一定)モードでは、最終的な光出力は、入力の変動とは関係なく一定に保持されます。このモードではVOAを光パワーの安定器として効果的に利用することができます。画面右のStepのボタンをタップし、ステップサイズを変更することにより矢印を使用した設定の増減値が決まります。

VOA設定画面からすべてのページで適用される光パワーやパラメータの単位を選択することもできます。光パワー値の単位の選択(mWまたはdBm)は、Power Unitsの欄でお選びください。

背面パネル

背面パネルにはレーザのインターロックやパワーモニタ用の端子、RS-232ならびにUSBポートなどがあり、安全性やユーティリティのための機能が利用できます。USBおよびRS-232接続はどちらもE/O変換機のリモート操作にご使用いただけます。シリアルコマンドや制御機能については、Remote Control User Guideをご覧ください。USBインターフェイスは、今後のファームウェアアップグレードにも使用されます。

すべてのユニットは、インターロックコネクタをショートした状態で出荷されるため、通常は箱から出してすぐにお使いいただけます。インターロック機能を使用するには、2.5 mmプラグをリモートインターロックスイッチにつなぎ、それを短絡用プラグに替えて背面パネルのインターロックジャックに差し込みます。この機能の電気仕様についてはマニュアルに記載されています。

前面パネル

MX40G E-O Converter Front Panel
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E/O変換機前面パネル(MX40G-850以外)
MX40G-850 E-O Converter Front Panel
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E/O変換機前面パネル(MX40G-850)
 
CalloutDescription
1Touchscreen Display and Control
2Value Adjustment Knob
3Key Switch and Status Indicator Light for Internal Laser
4Earth Ground Port for ESD Wrist Strap Banana Plug
5a,bLaser Out for Internal Laser Source,
Accepts PM Fiber with FC/PC Connector
6a,bLaser In to Modulator, Accepts PM Fiber with FC/PC Connector
7cOptical Out: Final Output from Modulator
8dModulator RF In: Signal to Modulator,
MX40G Series: 2.92 mm Femalee
MX70G Series: 1.85 mm Femalef
MX110G Series: 1.0 mm Femaleg 
9On/Standby Button
  • 内部接続にはファイバPM1310-XPを使用
  • MX40G-850(右)には内蔵レーザの出力部や外部レーザ用入力部がありません。内蔵レーザとMonitor1が筐体内で直接接続されています。
  • 内部接続にはファイバSMF-28を使用
  • 最大RF入力は10 Vpp(MX110Gシリーズは5 Vpp.
  • 2.92 mmコネクタは、Kコネクタに直接接続可能です。SMAまたは3.5 mmコネクタにも接続できますが、性能は低下します。
  • 1.85 mmコネクタは、Vコネクタに直接接続可能です。2.4 mmコネクタにも接続できますが、性能は低下します。
  • 1.0 mmコネクタは、Wコネクタに直接接続可能です。
CalloutDescription
1Touchscreen Display and Control
2Value Adjustment Knob
3Key Switch and Status Indicator Light for Internal Laser
4Earth Ground Port for ESD Wrist Strap Banana Plug
5aOptical Out: Final Output from Modulator
6bModulator RF In: Signal to Modulator, 2.92 mm Female
7On/Standby Button
  • 内部接続にはファイバ780HPを使用
  • 2.92 mmコネクタは、Kコネクタに直接接続可能です。SMAまたは3.5 mmコネクタにも接続できますが、性能は低下します。

 

背面パネル

MX40G E-O Converter Back Panel
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E/O変換機の背面パネル
CalloutDescription
1aI/O Control Port (DB15 Connector)
Outputs from Three Integrated Power Monitors
2Laser Interlock Jack (2.5 mm Phono Jack)
3aRS-232 Control Port
4USB Port (Type B)
5AC Power Cord Connector
6Fuse Tray
7AC Power Switch
  • ピンの配置については「ピン配列」タブをご参照ください。

 DB15 I/Oコネクタ


I/Oコネクタは、3つのパワーモニタからのアナログ信号を出力します。
PinDescriptionPinDescription
1Power Monitor 19Analog Ground
2Power Monitor 210Analog Ground
3Power Monitor 311Reserved for Future Use
4Reserved for Future Use12Reserved for Future Use
5Analog Ground13Monitor 1 Gain Indicator
6Analog Ground14Monitor 2 Gain Indicator
7Analog Ground15Monitor 3 Gain Indicator
8Analog Ground--

RS-232コネクタ


RS-232は遠隔操作に対応するために
付属しています。
PinDescription
1Not Connected
2RS-232 Input
3RS-232 Output
4Not Connected
5Digital Ground
6Not Connected
7Not Connected
8Not Connected
9Not Connected

USB B型コネクタ

USB type B
USBコネクタはファームウェアのアップグレードと遠隔操作用です。

E/O変換機には以下のアイテムが含まれます：

  • 校正済みE/O変換機本体
  • 日本国内対応の電源ケーブル
  • 偏波保持ファイバーループバックケーブル(MX40G-850には付属しません)
  • 前面パネル用のインターロックキー
  • 2.5 mmのインターロックピン(背面パネルに取付け済み)
  • 1.25 A、250 VACのヒューズ
  • 長さ1.8 mのUSB A - Bケーブル
  • *.s2pファイルが保存されたUSBメモリ
Screen Capture of the MX40G E-O Converter Remote Control Tool Software V1.5
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遠隔制御ツールのGUI

MX40G、MX70G、MX110Gシリーズ校正済みE/O変換機用ソフトウェア

シリアルコマンドを使用したE/O変換機の遠隔制御
MX40G、MX70GおよびMX110GシリーズE/O変換機に送られたシリアルコマンドは内部レーザ、内蔵変調器のバイアスコントローラ、そして可変光減衰器(VOA)の機能の制御と、一般的なシステムパラメータの設定が可能です。コマンドはあらゆるOSのPCからE/O変換機の背面パネルにあるRS-232ポートに送信できます。PCのOSがWindows® 7またはそれ以降のバージョンの場合、シリアルコマンドはE/O変換機の背面パネルにあるUSBポートに送信できます。遠隔制御中も、タッチパネルはアクティブになっています。PCとの接続方法やシリアルコマンドセットならびに各コマンドについての説明は遠隔制御の利用ガイドに記載されています。

GUIベースで遠隔制御する場合の用途
グラフィカルユーザーインターフェイス(GUI)の遠隔制御用のソフトウェアはダウンロードが可能です。このGUIによって試験やデモを実施したり、別のシリアルコマンドの使用を検討したりすることができます。このプログラムは遠隔操作する際には必要ありません。ボタンをクリックすると接続が確立し、コマンドが送られます。変換機へ送られたコマンドにより変換機が応答し、ステータス情報のメッセージがボタンの下にある3つの長方形のフィールドに記録されます。詳細については、遠隔制御の利用ガイドをご参照ください。このプログラムはカスタムプログラム開発のベースとして使用できます。ソースコードをご希望の際は当社までご連絡ください。

ソフトウェア

バージョン1.8.9 (2024年8月2日)

遠隔制御用のソフトウェアツールのダウンロードは下のリンクから行えます。

Software Download

ファームウェアのアップデート

バージョン1.8.3 (2020年1月13日)
バージョン1.9.7 (2022年5月13日)
バージョン2.0.6 (2024年10月3日)

最新のファームウェアをダウンロードするには下のリンクをクリックしてください。バージョン1.8.3はMX70G-DB1とMX110Gシリーズ以外のすべての製品、バージョン1.9.7はMX70G-DB1用、バージョン2.0.6はMX110Gシリーズ用です。

Firmware Download

レーザの安全性とクラス分類

レーザを取り扱う際には、安全に関わる器具や装置を適切に取扱い、使用することが重要です。ヒトの目は損傷しやすく、レーザ光のパワーレベルが非常に低い場合でも障害を引き起こします。当社では豊富な種類の安全に関わるアクセサリをご提供しており、そのような事故や負傷のリスクの低減にお使いいただけます。可視域から近赤外域のスペクトルでのレーザ発光がヒトの網膜に損傷を与えうるリスクは極めて高くなります。これはその帯域の光が目の角膜やレンズを透過し、レンズがレーザーエネルギを、網膜上に集束してしまうことがあるためです。

Laser GlassesLaser CurtainsBlackout Materials
Enclosure SystemsLaser Viewing CardsAlignment Tools
Shutter and ControllersLaser Safety Signs

安全な作業および安全に関わるアクセサリ

  • クラス3または4のレーザを取り扱う場合は、必ずレーザ用保護メガネを装着してください。
  • 当社では、レーザのクラスにかかわらず、安全上無視できないパワーレベルのレーザ光線を取り扱う場合は、ネジ回しなどの金属製の器具が偶然に光の方向を変えて再び目に入ってしまうこともあるので、レーザ用保護メガネを必ずご使用いただくようにお勧めしております。
  • 特定の波長に対応するように設計されたレーザ保護眼鏡は、装着者を想定外のレーザ反射から保護するために、レーザ装置付近では常に装着してください。
  • レーザ保護眼鏡には、保護機能が有効な波長範囲およびその帯域での最小光学濃度が刻印されています。
  • レーザ保護カーテンやレーザー安全保護用布は実験室内での高エネルギーレーザの遮光にご使用いただけます。
  • 遮光用マテリアルは、直接光と反射光の両方を実験装置の領域に封じ込めて外に逃しません。
  • 当社の筺体システムは、その内部に光学セットアップを収納し、レーザ光を封じ込めて危険性を最小限に抑えます。
  • ピグテール付き半導体レーザは、他のファイバに接続、もしくは他のファイバとの接続を外す際には、レーザ出力をOFFにしてください。パワーレベルが10 mW以上の場合には特にご注意ください。
  • いかなるビーム光も、テーブルの範囲で終端させる必要があります。また、レーザ使用中には、研究室の扉は必ず閉じていなければなりません。
  • レーザ光の高さは、目線の高さに設定しないでください。
  • 実験は光学テーブル上で、全てのレーザービームが水平を保って直進するように設定してください。
  • ビーム光路の近くで作業する人は、光を反射する不要な装飾品やアクセサリ(指輪、時計など)をはずしてください。
  • レンズや他の光学装置が、入射光の一部を、前面や背面で反射する場合がありますのでご注意ください。
  • あらゆる作業において、レーザは必要最小限のパワーで動作するようにご留意ください。
  • アライメントは、可能な限りレーザの出力パワーを低減して作業を行ってください。
  • ビームパワーを抑えるためにビームシャッタや フィルタをお使いください。
  • レーザのセットアップの近くや実験室には、適切なレーザ標識やラベルを掲示してください。
  • クラス3Rやクラス4のレーザ(安全確保用のインターロックが必要となるレーザーレベルの場合)で作業する場合は、警告灯をご用意ください。
  • ビームトラップの代用品としてレーザービュワーカードを使用したりしないでください。

 

レーザ製品のクラス分け

レーザ製品は、目などの損傷を引き起こす可能性に基づいてクラス分けされています。国際電気標準会議(The International Electrotechnical Commission 「IEC」)は、電気、電子工学技術関連分野の国際規格の策定および普及を行う国際機関で、IEC60825-1は、レーザ製品の安全性を規定するIEC規格です。レーザ製品のクラス分けは下記の通りです

ClassDescriptionWarning Label
1ビーム内観察用の光学機器の使用を含む、通常の条件下での使用において、安全とみなされているクラス。このクラスのレーザ製品は、通常の使用範囲内では、人体被害を及ぼすエネルギーレベルのレーザを発光することがないので、最大許容露光量(MPE)を超えることはありません。このクラス1のレーザ製品には、筐体等を開かない限り、作業者がレーザに露光することがないような、完全に囲われた高出力レーザも含まれます。 Class 1
1Mクラス1Mのレーザは、安全であるが、望遠鏡や顕微鏡と併用した場合は危険な製品になり得ます。この分類に入る製品からのレーザ光は、直径の大きな光や拡散光を発光し、ビーム径を小さくするために光を集束する光学素子やイメージング用の光学素子を使わない限り、通常はMPEを超えることはありません。しかし、光を再び集光した場合は被害が増大する可能性があるので、このクラスの製品であっても、別の分類となる場合があります。 Class 1M
2クラス2のレーザ製品は、その出力が最大1 mWの可視域での連続放射光に限定されます。瞬目反射によって露光が0.25秒までに制限されるので、安全と判断されるクラスです。このクラスの光は、可視域(400～700 nm)に限定されます。 Class 2
2Mこのクラスのレーザ製品のビーム光は、瞬目反射があるので、光学機器を通して見ない限り安全であると分類されています。このクラスは、レーザ光の半径が大きい場合や拡散光にも適用されます。 Class 2M
3Rクラス3Rのレーザ製品は、直接および鏡面反射の観察条件下で危険な可視光および不可視光を発生します。特にレンズ等の光学機器を使用しているときにビームを直接見ると、目が損傷を受ける可能性があります。ビーム内観察が行われなければ、このクラスのレーザ製品は安全とみなされます。このクラスでは、MPE値を超える場合がありますが、被害のリスクレベルが低いクラスです。可視域の連続光のレーザの出力パワーは、このレベルでは5 mWまでとされています。 Class 3R
3Bクラス3Bのレーザは、直接ビームを見た場合に危険なクラスです。拡散反射は通常は有害になることはありませんが、高出力のクラス3Bレーザを使用した場合、有害となる場合もあります。このクラスで装置を安全に操作するには、ビームを直接見る可能性のあるときにレーザ保護眼鏡を装着してください。このクラスのレーザ機器にはキースイッチと安全保護装置を設け、さらにレーザ安全表示を使用し、安全照明がONにならない限りレーザがONにならないようにすることが求められます。Class 3Bの上限に近いパワーを出力するレーザ製品は、やけどを引き起こすおそれもあります。 Class 3B
4このクラスのレーザは、皮膚と目の両方に損傷を与える場合があり、これは拡散反射光でも起こりうるとみなされています。このような被害は、ビームが間接的に当たった場合や非鏡面反射でも起こることがあり、艶消し面での反射でも発生することがあります。このレベルのレーザ機器は細心の注意を持って扱われる必要があります。さらに、可燃性の材質を発火させることもあるので、火災のリスクもあるレーザであるとみなされています。クラス4のレーザには、キースイッチと安全保護装置が必要です。 Class 4
全てのクラス2以上のレーザ機器には、上記が規定する標識以外に、この三角の警告標識が表示されていなければいけません。 Warning Symbol

特注＆製品組み込み用途(OEM用途)について

ご用意している標準品や設定機能がご希望の用途に合致しない場合は、当社までご相談ください。特注品や製品組み込み用途(OEM用途)のご要望に対応いたします。

デモ機の貸出し

こちらの製品のデモ機をご希望の場合は、当社までご相談ください。現在国内にデモ機がない場合でも対応させていただきます。

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MX40B with cover removed
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 デジタルトランスミッタMX40B

設計、製造および試験

当社の超高速オプトエレクトロニクスのチームは、最大周波数応答110 GHzまでの様々なフォトニクス用途向けの高速コンポーネントおよび機器の設計、開発、製造を行っています。RF/マイクロ波の設計や光学素子、光ファイバ、オプトメカニクスの設計、混合信号を用いた電子機器などに関する専門知識を生かし、高速フォトニクスの分野において多岐にわたる実績を積んで参りました。20,000点以上の製品を手がける垂直統合型企業の1部門として、数多くの機器の販売およびサポートを行い、今後もさらに取扱い製品の幅を広げていく予定です。

当社の標準品および特注品のラインナップには光トランスミッタや変調器ドライバ、コントローラ、ディテクタ、光受信機、パルスレーザ、可変光減衰器、そして様々なアクセサリが含まれます。これ以外の特注品やOEM製品の設計、製造に関するご要望もお待ちしております。当社では主に以下の項目についてご対応可能です:

  • 70 GHzまでのディテクタおよび光受信機の設計
  • 110 GHzまでの光トランスミッタの設計
  • RF/マイクロ波の設計およびシミュレーション
  • 光ファイバおよびフォトニクスサブアセンブリの設計
  • 110 GHzまでの高速試験
  • マイクロアセンブリおよびワイヤーボンディング
  • マイクロ波モジュールのハーメティックシール
  • ファイバ融着接続
  • 特注レーザ刻印
  • 品質試験

特注品および標準品の概要 

当社の標準品のラインナップには、光トランスミッタや変調器ドライバ、コントローラ、ディテクタ、パルスレーザ、ならびにアクセサリが含まれます。これ以外にも、受信機などの関連製品や標準品のカスタマイズも取り扱い可能です。以下のセクションでは、当社で対応可能な特注品および標準品(内蔵型から部品レベルまで)についての概要を記載しています。  

光学装置

幅広いご要望に応えるため、当社では光学装置を部品レベルからご用意しています。トランスミッタには、波長可変レーザ、ドライバ増幅器およびバイアスコントローラ付き変調器、フル制御の光出力機能、直感的なタッチパネルが内蔵されています。波長可変レーザ、変調器ドライバ、変調器バイアスコントローラは個別にご購入いただけます。以下の機器にはフル遠隔制御機能が付いており、PCから送られるシリアルコマンドを用いて対応可能です。

  • 110 GHzまでの光トランスミッタ
  • リニア(アナログ)およびデジタルトランスミッタ
  • 110 GHzまでの電気-光(EO)変換機
  • 変調器ドライバ
  • 変調器用バイアスコントローラ
  • CおよびLバンド波長可変レーザ

内部レーザ光源、動作波長範囲、光ファイバのタイプ、増幅器のタイプなどのカスタマイズも承ります。

光コンポーネント

当社の特注品および標準品の光コンポーネント製品には、モジュール設計とハーメティックシール機能が採用されています。50 GHzまでの周波数応答を有するディテクタや、40 GHz以上で動作する光受信機の開発も行っています。また、関連する製品として、ご要望に応じてカスタマイズ可能な増幅モジュールや、可変光減衰器、マイクロ波ケーブル、ケーブル用アクセサリもご用意しています。

  • 50 GHzまでのハーメティックシール付きディテクタ
  • 40 GHzまでの光ファイバ用受信機
  • 増幅モジュール
  • 可変光減衰器
  • マイクロ波ケーブルおよびアクセサリ

シングルモードおよびマルチモードファイバ(該当品のみ)、時間または周波数領域での駆動用に最適化されたディテクタなどのカスタマイズも承ります。

自由空間用機器

当社の自由空間用機器には、周波数応答が1 GHz程度のディテクタやパルスレーザが含まれます。様々な幅のナノ秒パルスレーザを発生させるパルスレーザを、幅広い波長と出力パワーのモデルでご用意しております。ユーザ設定可能な繰返し周波数およびトリガ入出力信号が柔軟性を向上させ、電子ディレイライン製品によって実験中に複数のレーザを同期させることができます。当社の標準品のパルスレーザにゲインスイッチングデバイスを適用すると、100 ps領域までのパルスを発生させることもできます。

  • パルス幅10 ns(固定)のパルスレーザ
  • パルス幅および繰返し周波数を変更可能なパルスレーザ
  • NPLシリーズのパルスレーザを同期する電子遅延装置
  • 増幅ディテクタ

発光波長、光出力パワー、サブナノ秒のパルス幅など、パルスレーザのカスタマイズも承ります。


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用途に応じて光トランスミッタをお選びください。

  1. 表の1番左の欄ではシステムの種類がお選びいただけます。
  2. 右の欄ではご希望の仕様を選んでいきます。　
  3. Base Item #の行まで進んだ後は、レーザの種類を選びます。Base Item #の末尾にレーザの種類を付け足すとシステムの型番になります(例:MX40B-1310)。
Start HereFollow the Table to the Right and Choose From These OptionsFind Your System Here
Modulator TypePrimary ApplicationModulation FormatSpeedRF InputBase Item #Item # Suffix:
Laser Type
AmplitudeTime Domain / Eye DiagramLinear / 4-Level PAM432 GBaudDifferentialMX35DNo Suffix:
C-Band Tunable Laser

-LB:
L-Band Tunable Laser

-1310:
1310 nm Fixed Laser

-850:
850 nm Fixed Lasera,b
Single EndedMX35E
56 GBaud→MX65E
115 GBaud→MX100E
Digital / 2-Level NRZ / OOK10 Gbps→MX10B
40 Gbps→MX40B
56 Gbps→MX50E
56 Gbps→MX65E
115 Gbps→MX100E
Frequency Domain / VNA→40 GHz→MX40G
70 GHz→MX70G
110 GHz→MX110G
Phase→→10 Gbps→MX10C
40 Gbps→MX40C
  • 下記の型番については850 nm固定レーザはご用意しておりません。
    • MX10C
    • MX40C
    • MX65E
    • MX70G
    • MX100E
    • MX110G
  • MX40G-850をご用意しておりますのでご確認ください。上記以外のシステムで850 nm固定レーザをご希望の場合には当社までご連絡ください。

ご希望の光トランスミッタの特長に応じてお選びください。

Transmitter Instruments and Tunable Lasers
Item #SpeedInternal LaserInternal Modulator
(Type)		RF Amplifier
(Type)		Bias
Controller		Variable Optical
Attenuator (VOA)		Block
Diagram
Automatic Bias Controller
MBX2
(770 - 980 nm)		N/A---yesyes
MBX3
(980 - 1310 nm)		N/A---yesyes
MBX
(1250 - 1610 nm)		N/A---yesyes
Tunable Telecom-Grade Laser Sources
TLX1N/AC-Band, Tunable---yes
TLX2N/AL-Band, Tunable
High-Speed Modulator Drivers
MX10A
(1250 - 1610 nm)		12.5 Gb/sa--Digitalyesyes
MX40A
(1250 - 1610 nm)		40 Gb/sa
High-Speed Optical Transmitters
MX10B12.5 Gb/saC-Band, TunableIntensityDigitalyesyes
MX10B-LB12.5 Gb/saL-Band, Tunable
MX10B-131012.5 Gb/sa1310 nm, Fixed
MX10C12.5 Gb/saC-Band, TunablePhaseDigital-yes
MX10C-LB12.5 Gb/saL-Band, Tunable
MX10C-131012.5 Gb/sa1310 nm, Fixed
MX35E35 GHzbC-Band, TunableIntensityLinearyesyes
MX35E-LB35 GHzbL-Band, Tunable
MX35E-131035 GHzb1310 nm, Fixed
MX35D35 GHzbC-Band, TunableIntensityLinear with
Differential
Input		yesyes
MX35D-LB35 GHzbL-Band, Tunable
MX35D-131035 GHzb1310 nm, Fixed
MX40B40 Gb/saC-Band, TunableIntensityDigitalyesyesinfo
MX40B-LB40 Gb/saL-Band, Tunable
MX40B-131040 Gb/sa1310 nm, Fixed
MX40C40 Gb/saC-Band, TunablePhaseDigital-yes
MX40C-LB40 Gb/saL-Band, Tunable
MX40C-131040 Gb/sa1310 nm, Fixed
MX50E-85050 GHzb852 nm, FixedIntensityLinearyesyes
MX65E65 GHzbC-Band, TunableIntensityLinearyesyes
MX65E-LB65 GHzbL-Band, Tunable
MX65E-131065 GHzb1310 nm, Fixed
MX100E100 GHzbC-Band, Tunable
MX100E-1310100 GHzb1310 nm, Fixed
E-O Converters for VNA Applications
MX40G40 GHzbC-Band, TunableIntensity-yesyes
MX40G-LB40 GHzbL-Band, Tunable
MX40G-85040 GHzb850 nm, Fixed
MX40G-131040 GHzb1310 nm, Fixed
MX70G70 GHzbC-Band, TunableIntensity-yesyes
MX70G-LB70 GHzbL-Band, Tunable
MX70G-131070 GHzb1310 nm, Fixed
MX70G-DB170 GHzbC-Band, TunableIntensity-yesyes
1310 nm, Fixed
MX110G110 GHzbC-Band, TunableIntensity-yesyes
MX110G-1310110 GHzb1310 nm, Fixed
  • 最大のデジタルビットレート
  • 最大のアナログ帯域幅

当社が取り揃えている様々なトランスミッタの概要を説明し、表にまとめています。こちらの製品シリーズはすべて同様のインターフェイスと共通の遠隔操作コマンドセットを採用しています。

自動バイアスコントローラ
当社の自動バイアスコントローラは、信号速度に関わらずあらゆるLN強度変調器のDCバイアス電圧と光出力を精密に制御します。自動バイアスコントローラは、外部接続のレーザ、強度変調器、信号源、RF増幅器を使用するカスタムのセットでの使用に適しています。

チューニング可能な通信グレードのレーザ光源
これらのチューナブルレーザの帯域はCバンドまたはLバンドで、線幅(典型値)は10 kHzです。周波数のディザ機能はレーザ波長の安定化をもたらします。そして、内蔵の可変光減衰機(VOA)が光出力を制御します。これらのレーザはITU周波数グリッドで50 GHz間隔でチューニングが可能で、さらに1 MHz単位のチューニング機能もあります。

高速変調器ドライバ　
外部からLN変調器を制御可能な変調器ドライバは、1250 nm～1610 nmの動作波長範囲に対応します。変調器ドライバには、振幅とアイクロッシングを制御するRF増幅器が内蔵されており、外部の駆動信号源に対応します。自動バイアスコントローラ内蔵のモデルは、LN強度変調器用に提供しております。

高速光トランスミッタ
高速光変調信号出力用途に設計されたこちらの一体型のシステムは、LN強度変調器あるいは位相変調器を中心に構成されています。MX10B、MX40B、MX10C、MX40Cシリーズのシステムには固定利得ならびに出力電圧を調整可能なデジタルRF増幅器(リミッティングアンプ)を内蔵しています。MX35E、MX50E、MX65E、MX100Eシリーズ製品には、高周波帯域の(アナログ)リニアRF増幅器を内蔵しており、パルス振幅変調(PAM)などの用途に適しています。

VNA用途向けE/O変換機
当社のMX40G、MX70GおよびMX110GシリーズのE/O変換機はあらゆるE/Eベクトルネットワークアナライザとともにご使用いただけます。テストの速度は最大40 GHz(MX40Gシリーズ)、70 GHz(MX70Gシリーズ)または110 GHz(MX110Gシリーズ)です。このE/O変換機はレーザ、変調器、バイアス制御がすべて内蔵された機器です。

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40 GHz光ファイバ入出力型E/O変換機、校正済み

Key System Specificationsa
Item #MX40G-850MX40G-1310MX40GMX40G-LB
Frequency Responseb
(Click for Plot)
DC - 40 GHzDC - 40 GHz
Internal Laser TypeFixed WavelengthC-Band, TunableL-Band, Tunable
Internal Laser Wavelength852 nm (Typ.)1310 nm (Typ.)1527.6 - 1565.5 nm1570.0 - 1608.8 nm
External Laser SupportNone1250 - 1610 nm, 20 dBm Max
Input RF Connector Type2.92 mm Connectorc
  • 詳細についてはマニュアルをご参照ください。
  • 周波数応答の測定値。各ユニットに付属のUSBメモリ内にある*.s2pファイルでご提供しています。
  • 2.92 mmコネクタは、Kコネクタに直接接続可能です。SMAまたは3.5 mmコネクタにも接続できますが、性能は低下します。
  • 40 GHzまでの用途向け
  • ご選択可能な内蔵レーザ
    • 852 nm固定波長レーザ
    • 1310 nm固定波長レーザ
    • Cバンドレーザ:ITU 50 GHzグリッドでチューニング可能
    • Lバンドレーザ:ITU 50 GHzグリッドでチューニング可能
  • お手持ちの外部レーザ使用時の動作波長範囲:1250～1610 nm(MX40G-850を除く)　

MX40GシリーズE/O変換機は40 GHzまでの動作が可能で、内蔵レーザの出力を変調入力に接続する外部ループバックケーブルが付属しています(MX40G-850を除く)。

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
MX40G-850 Support Documentation
MX40G-850Customer Inspired! 40 GHz 光ファイバ入出力型E/O変換機、852 nmレーザ、校正済み
￥4,255,083
Lead Time
MX40G-1310 Support Documentation
MX40G-131040 GHz 光ファイバ入出力型E/O変換機、1310 nmレーザ、校正済み
￥3,961,629
Lead Time
MX40G Support Documentation
MX40G40 GHz 光ファイバ入出力型E/O変換機、Cバンドレーザ、校正済み
￥3,961,629
3-5 weeks
MX40G-LB Support Documentation
MX40G-LB40 GHz 光ファイバ入出力型E/O変換機、Lバンドレーザ、校正済み
￥3,961,629
Lead Time
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70 GHz光ファイバ入出力型E/O変換機、校正済み　

Key System Specificationsa
Item #MX70G-1310MX70GMX70G-LBMX70G-DB1
Frequency Responseb
(Click for Plot)
DC - 70 GHz
Internal Laser TypeFixed WavelengthC-Band, TunableL-Band,
Tunable		Fixed WavelengthC-Band, Tunable
Internal Laser Wavelength1310 nm1527.6 - 1565.5 nm1570.0 - 1608.8 nm1310 nm1527.6 -
1565.5 nm
External Laser Support1250 - 1610 nm, 20 dBm Max
Input RF Connector Type1.85 mm Connectorc
  • 詳細についてはマニュアルをご参照ください。
  • 周波数応答の測定値。各ユニットに付属のUSBメモリ内にある*.s2pファイルでご提供しています。
  • 1.85 mmコネクタは、Vコネクタに直接接続可能です。2.4 mmコネクタにも接続できますが、性能は低下します。
  • 70 GHzまでの用途向け
  • 選択可能な内蔵レーザ
    • 1310 nm固定波長レーザ
    • Cバンドレーザ:ITU 50 GHzグリッドでチューニング可能
    • Lバンドレーザ:ITU 50 GHzグリッドでチューニング可能
  • デュアルレーザ内蔵
    • 1310 nm固定波長レーザとITU 50 GHzグリッドでチューニング可能なCバンドレーザ
  • お手持ちの外部レーザ光源使用時の動作波長範囲:1250～1610 nm

MX70GシリーズE/O変換機は70 GHzまでの動作が可能で、内蔵レーザの出力を変調入力に接続する外部ループバックケーブルが付属しています。

MX70Gシリーズには、1つのレーザ内蔵のE/O変換機のほか、デュアルバンドのMX70G-DB1がございます。このユニットには、1310 nm固定波長レーザとCバンドチューナブルレーザが内蔵されており、多波長検査の用途にご使用いただけます。

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
MX70G-1310 Support Documentation
MX70G-131070 GHz 光ファイバ入出力型E/O変換機、1310 nmレーザ、校正済み
￥6,749,442
Lead Time
MX70G Support Documentation
MX70G70 GHz 光ファイバ入出力型E/O変換機、Cバンドレーザ、校正済み
￥6,749,442
Lead Time
MX70G-LB Support Documentation
MX70G-LB70 GHz 光ファイバ入出力型E/O変換機、Lバンドレーザ、校正済み
￥6,749,442
Lead Time
MX70G-DB1 Support Documentation
MX70G-DB1Customer Inspired!  70 GHz 光ファイバ入出力型E/O変換機、1310 nmレーザとCバンドレーザ、校正済み
￥7,629,804
Lead Time
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110 GHz光ファイバ入出力型E/O変換機、校正済み

Key System Specificationsa
Item #MX110G-1310MX110G
Frequency Responseb
(Click for Plot)
DC - 110 GHz
Internal Laser TypeFixed WavelengthC-Band, Tunable
Internal Laser Wavelength1310 nm1527.6 - 1565.5 nm
External Laser Support1260 - 1360 nm, 17 dBm Max1525 - 1575 nm, 17 dBm Max
Input RF Connector Type1.0 mm Connectorc
  • 詳細についてはマニュアルをご参照ください。
  • 周波数応答の測定値。各ユニットに付属のUSBメモリ内にある*.s2pファイルでご提供しています。
  • 1.0 mmコネクタは、Wコネクタに直接接続可能です。
  • 110 GHzまでの用途向け
  • 選択可能な内蔵レーザ
    • 1310 nm固定波長レーザ
    • Cバンドレーザ:ITU 50 GHzグリッドでチューニング可能
  • お手持ちの外部レーザ使用時の動作波長範囲
    • MX110G-1310: 1260～1360 nm
    • MX110G: 1525～1575 nm

MX110GシリーズE/O変換機は110 GHzまでの動作が可能で、内蔵レーザの出力を変調入力に接続する外部ループバックケーブルが付属しています。

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
MX110G-1310 Support Documentation
MX110G-1310110 GHz 光ファイバ入出力型E/O変換機、1310 nmレーザ、校正済み
￥13,275,300
Lead Time
MX110G Support Documentation
MX110GCustomer Inspired! 110 GHz 光ファイバ入出力型E/O変換機、Cバンドレーザ、校正済み
￥13,275,300
Lead Time
Additional トランスミッター
  • 高速デジタルトランスミッタ(強度変調)

  • 高速リニアトランスミッタ
    (アナログ、強度変調)

  • 高速光トランスミッタ(位相変調)

  • E/O変換機、校正済み

  • Cバンド＆Lバンド波長可変
    レーザ、ベンチトップ型

  • Oバンド＆C+Lバンド波長可変レーザ、ラックマウント型

  • EO変調器ドライバ

  • 変調器用
    バイアスコントローラ